晶圆减薄中，正面金属工艺(FSM)的金属溅射沉积 (Metal Sputtering Deposition)，利用高真空的环境，将氩原子 (Ar) 解离后，产生二次电子和氩 (Ar) 离子，再利用靶材上的负电位，使氩 (Ar) 离子加速撞击靶材，使靶材上的金属沈积在芯片表面上。
iST 宜特能为您做什么
宜特提供正面金属溅射沈积 (Front-Side Metal Sputtering Deposition)，可制备焊垫金属层，如钛/镍钒/ 银 (Ti/NiV/Ag)，定义焊垫图形。
正面金属溅射沈积(Front-side Metal Sputtering Deposition)工艺
客户的晶圆在完成入站检验 (IQC) 后，按照客户指示之种类及厚度，进入溅射机沈积金属(Sputtering)。完成金属沈积后，以客户指定之光罩图形，搭配黄光机台定义要留下的金属图形后 (PHOTO)，进行金属蚀刻 (Metal Etching)；最后，将光阻去除 (PR Strip) 后，出站检验(OQC)。
iST 宜特服务优势
- 提供钛/镍钒/银 (Ti/NiV/Ag) 对铝垫 (Al Pad) 的高选择比蚀刻，让露出的铝垫 (Al Pad) 减损厚度降到最低，以利客户可以进行Mix-bond作业，藉此可为客户降低后续封装成本。
- 专业黄光工艺团队，协助客户检视Tape Out / Job File，无痛转移后续的光罩作业。
- 工程师团队背景多元化，有来自前段晶圆代工厂、晶圆薄化专家、后段封装厂，熟悉前中后段之工艺整合及分析，能协助客户快速开发、解决问题、稳定量产。
案例分享
以金属溅射沈积 (Metal Sputtering Deposition) 完成的正面金属工艺，镍钒及钛的退缩 (Under Cut) 极小，达0.22um
- 现有金属组合：钛/镍钒/银 (Ti/NiV/Ag) ，可依客户需求进行厚度调整
- 适用八吋晶圆
- 钛/镍钒/银 (Ti/NiV/Ag) 成长的均匀性极佳
- 极小Under Cut