![](https://cn.istgroup.com/wp-content/uploads/2019/01/tech_20190108_banner.jpg)
化学镀工艺最大特色是,只需利用一系列的氧化还原反应,将镍金/镍钯金选择性的成长在铝垫上,完全不需要经过高真空溅镀/黄光工艺/蚀刻工艺,因此成本可降低…
![](https://cn.istgroup.com/wp-content/uploads/2018/08/tech_20180808_banner-1.jpg)
正面金属化工艺是MOSFET晶圆减薄的一个关键工艺,正面金属化工艺的目的,就是藉由溅镀或化学镀方式形成UBM,接着做铜夹焊接 (Clip Bond),以降低导线电阻….
![](https://cn.istgroup.com/wp-content/uploads/2017/04/shutterstock_188522612_1903x1070.jpg)
MOSFET组件供不应求,IDM又产能满载,交期大幅拉长怎么办?完成了晶圆薄化与表面处理,后续又得将晶圆转运去做CP和切割,有没有一次就做到好的厂商?
化学镀工艺最大特色是,只需利用一系列的氧化还原反应,将镍金/镍钯金选择性的成长在铝垫上,完全不需要经过高真空溅镀/黄光工艺/蚀刻工艺,因此成本可降低…
正面金属化工艺是MOSFET晶圆减薄的一个关键工艺,正面金属化工艺的目的,就是藉由溅镀或化学镀方式形成UBM,接着做铜夹焊接 (Clip Bond),以降低导线电阻….
MOSFET组件供不应求,IDM又产能满载,交期大幅拉长怎么办?完成了晶圆薄化与表面处理,后续又得将晶圆转运去做CP和切割,有没有一次就做到好的厂商?