化学镀工艺最大特色是，只需利用一系列的氧化还原反应，将镍金/镍钯金选择性的成长在铝垫上，完全不需要经过高真空溅镀/黄光工艺/蚀刻工艺，因此成本可降低…
正面金属化工艺是MOSFET晶圆减薄的一个关键工艺，正面金属化工艺的目的，就是藉由溅镀或化学镀方式形成UBM，接着做铜夹焊接 (Clip Bond)，以降低导线电阻….
MOSFET组件供不应求，IDM又产能满载，交期大幅拉长怎么办？完成了晶圆薄化与表面处理，后续又得将晶圆转运去做CP和切割，有没有一次就做到好的厂商？