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by admin
先进工艺的IC,该如何从晶背进行FIB电路修补?
2019-03-13

随着摩尔定律当工艺来到16奈米(nm)以下的制程,包装型式多数为覆晶技术(Flip Chip),因此FIB电路修补就必须从芯片背面(晶背,Backside)来执行……

液态材料的缺陷,如何用SEM检测?
2019-03-04

往往我们可以检测的大多是固态样品,但若遇到欲检测的物品是液态,或者怀疑Defect来自于制程中的液态物质该如何分析呢?针对一般的样品,以往我们会使用SEM检测,然而….

小于30μm未知污染物,如何分析?
2019-02-20

随着工艺越来越进步,对于污染缺陷点的分析要求也越来越严苛。这些表面污染缺陷,该如何选择到位的分析方式呢?一般而言,若待分析污染物属于有机物范畴,我们会选择….

了解三大面向,顺利取得IATF 16949汽车质量管理系统证书
2019-02-11

打入车厂供应链,除了产品设计面外,还包括产品研发、生产、安装、服务的部分必须有所依归,此依归准则,就是IATF 16949:2016汽车行业通用的质量管理体系…

MOSFET正面金属化工艺高CP值选择-化学镀
2019-01-07

化学镀工艺最大特色是,只需利用一系列的氧化还原反应,将镍金/镍钯金选择性的成长在铝垫上,完全不需要经过高真空溅镀/黄光工艺/蚀刻工艺,因此成本可降低…

MOSFET正面金属化工艺(FSM)的两种选择-溅镀V.S.化学镀
2018-12-12

正面金属化工艺是MOSFET晶圆减薄的一个关键工艺,正面金属化工艺的目的,就是藉由溅镀或化学镀方式形成UBM,接着做铜夹焊接 (Clip Bond),以降低导线电阻….