IPFA(International symposium on the physical & failure analysis of integrated circuits) 是半导体物理分析、失效分析及可靠性的国际殿堂级研讨会。宜特科技非常荣幸将再次于IPFA发表最新研究成果。

宜特科技和成功大学赖教授的合作研究中发现，透过适当的TEM和STEM影像分析，加上电子绕射分析与EDS成份分析，GaN/AlGaN磊晶层在高温氧化后生成的氧化物中有beta-Ga2O3相，此种氧化物晶体被学界称为在氮化镓和碳化硅之后的第四类半导体。

＊温馨提醒：本会议为收费活动，欲参加者请洽以下主办单位官网：https://www.ipfa-ieee.org/2022/registration-fees/

宜特研究成果发表时程:

• 发表者：宜特科技-鲍忠兴博士
• 现场活动日期： 2022年7月18～20日
• 活动地点：新加坡 滨海湾金沙酒店
• 议程：Oral Presentation
• 在线会议日期： 2022年8月3日~9月2日 (透过Whova平台)

更多会议信息、收费及报名方式，请参考IPFA官方网站：https://www.ipfa-ieee.org/2022/