首頁 最新消息 宜特独家研发出MEMS G-Sensor失效分析标准流程

宜特独家研发出MEMS G-Sensor失效分析标准流程

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宜特独家研发出MEMS G-Sensor失效分析标准流程

by ruby

发布日期:2013/10/15
发布单位:iST宜特

在先端科技的蓬勃发展下,MEMS组件已成为智能产品的主要核心。为降低企业投入MEMS开发时,因故有分析技术难以找出MEMS真正失效原因,iST集团-台湾宜特今年已成功建构出MEMS G-Sensor的标准失效分析流程。此流程亦被许多公司实际采用,目前全台开发MEMS G-sensor的公司中,约达九成在iST宜特帮助下解决失效问题。
iST独家研发的MEMS G-Sensor失效分析标准流程,更正式通过全球最具代表性,电子组件检测失效分析技术研讨会-ISTFA的认可,成为全台第一家且是唯一一家拥有MEMS研究团队的实验室。

iST观察发现,许多公司欲了解MEMS组件的失效状况时,由于对其结构的认知度、掌握度不够,因此以传统方式做开盖(De-cap)观察,容易造成组件污染。

此外,iST进一步指出,因组件为悬浮结构,以外力移除时易产生毁损。双方影响下,容易造成组件污染和应力破坏,不但没有找出真因,反而制造更多失效盲点。

为克服此问题,iST今年已成功开发出MEMS无污染的De-cap技术,结合无应力的组件移除技术,以非破坏方式保留结构原貌,避开机械应力和污染产生的非真因失效。目前已帮助三十多家MEMS设计、制造与封装企业,对症下药地找出失效点并成功改善,抢攻市场先机。

在iST宜特MEMS标准失效分析流程下,可精准看出失效G-Sensor组件的真正失效点。

失效G-Sensor组件观察影像

正常G-Sensor组件观察影像

iST集团营运长 林正德指出,2007年预见此市场需求后即投入研发,全面布局MEMS等新兴产品失效分析技术。这几年在大量实务经验深耕下,更于今年建立出MEMS标准失效分析流程。

此技术,iST集团台湾总部技术经理 黄君安将于11月6日在美国加州圣荷西的国际失效分析暨测试研讨会(ISTFA)上发表。欢迎业界先进旧雨新知前来交流。

ISTFA会议报名网址:
http://www.asminternational.org/content/Events/istfa/index.jsp

若您有MEMS相关的业务需求,请洽+886-3-579-9909 分机8886 王先生

关于宜特科技

始创于1994年,iST从 IC 线路除错及修改起步,逐年拓展新服务,包括故障分析、可靠度验证、材料分析与质量保证等,建构完整验证与分析工程平台与全方位服务。客户范围囊括了电子产业上游 IC 设计至中下游成品端。随着绿色环保意识抬头,iST不仅专注核心服务,并关注国际趋势拓展多元性服务,建置无铅与无卤可靠度验证、化学定量分析与碳足迹温室气体盘查服务,顺利取得多项国际知名且具公信力的机构 ─ 德国 TUV NORD 与英国 BSI 认证。同时在国际大厂的外包趋势下,宜特科技也扮演品牌公司委外制造产品的独立质量验证第三公证实验室,取得 Dell、Cisco、Delphi、Continental Automotive、Lenovo 等品牌大厂认证实验室资格。

iST以追求精准、完美、效率的原则从新竹出发,陆续在世界拓展营运据点,包括大陆地区-昆山宜特、上海宜硕、北京宜硕、深圳宜特;日本IC Service;美国IST成立实验室,期能为客户提供更完整、快速、先进与创新之高质量技术服务,与全球领先趋势共同成长。进一步信息请至公司网站:www.istgroup.com查询。