发布日期：2015/7/15
发布单位：EET-Taiwan电子工程专辑
宜特科技(Integrated Service Technology；iST)宣布其材料分析检测技术突破10奈米制程，不仅可协助多家客户在先进制程产品上完成TEM分析与验证，其技术能量更深获IEEE半导体组件故障分析领域权威组织IPFA肯定，于会议期间发表最新研究成果。
宜特观察发现，近年来，企业为了打造效能更高、功耗更低、体积更小的半导体组件以满足现今智能产品需求，各大厂在先进制程开发的脚步越来越快，已从去年20奈米制程，迈入今年的14奈米制程；其中包括台积电、英特尔、三星等大厂，更预计陆续于明年进入10奈米以下的量产阶段，带动整个供应链的TEM分析需求。
宜特进一步指出，继去年布建EDS元素分析能力最强的TEM设备，聘雇多位TEM专家共同经过一整年的冲刺后，不仅产能大跃进，其检测分析能量更从去年的14奈米，向下突破至10奈米制程，深获多家客户如LED磊晶厂、半导体设备厂与晶圆代工厂的肯定，检测产能满载，下半年持续扩产以因应客户需求。
宜特科技材料分析工程部经理陈声宇表示，宜特材料分析技术能量有目共睹，更获得IPFA肯定，于本月举行的会议中，发表「利用高准确性的TEM/EDS技术分析先进NAND flash产品」之论文。此成果可应用于先进半导体制程中介电层材料(dielectric layer)的分析之上。
陈声宇进一步指出，先进制程的介电层材料，往往脆弱而易在分析过程中遭受损伤，分析难度相当高。宜特运用最高规格的TEM/EDS机台，并充分优化实验参数，成功在介电层材料遭受损伤前，迅速完成讯号的收集，得到准确的元素分布信息，提供研发工程师改善制程时，最有力的依据。