首頁 媒体报导 【电子工程专辑】立锜与宜特共同揭示MEMS G-Sensor检测合作成果

【电子工程专辑】立锜与宜特共同揭示MEMS G-Sensor检测合作成果

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【电子工程专辑】立锜与宜特共同揭示MEMS G-Sensor检测合作成果

by ruby

发布日期:2015/1/13
发布单位:电子工程专辑

立锜科技(Richtek Technoloy)与宜特科技(Integrated Service Technology;iST)宣布一项 MEMS 检测合作成果,双方针对立锜积极开发的 MEMS G-Sensor 提出最佳分析除错解决方案。

基于宜特建构出的一代 MEMS G-Sensor 标准失效分析流程,2013年双方已有成功的合作经验;2014年在二代 MEMS 分析技术,再度携手合作,顺利协助立锜在 MEMS 设计时间厘清失效因素,此分析技术更获得 ISQED (国际质量电子设计研讨会)认可。

随智能型产品、穿戴式装置与物联网的需求下, MEMS G-Sensor 组件需求量逐步放大,IC设计公司积极布局,渴望取得市场先机,占有一席之地。

宜特科技故障分析工程处处长许如宏表示,宜特运用二代 MEMS 分析技术,顺利的将 MEMS G-Sensor 「全质量块」在无应力状态下移除,移除后即观察到底层「固定质量块」下方的接合处毁损;该失效异常点与电子异常讯号,经检测后为一致,即为失效真因。