首頁 媒体报导 【电子工程世界】7nm之后 宜特TEM材料分析技术直攻5nm制程

【电子工程世界】7nm之后 宜特TEM材料分析技术直攻5nm制程

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【电子工程世界】7nm之后 宜特TEM材料分析技术直攻5nm制程

by ruby

发布日期:2016/6/12
发布单位:電子工程世界 EEworld

随著半导体产业朝先进製程发展,宜特(3289-TW)宣布,检测技术再突破,其TEM材料分析技术,已通过国际级客户肯定,验证技术可达5奈米製程;宜特表示,5奈米是下阶段各半导体厂的竞逐场,宜特目前就已有半导体客户,朝5奈米製程发展。

宜特近期协助多间客户在先进製程产品上完成TEM分析与验证,技术更深获IEEE半导体元件故障分析领域权威组织IPFA(International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits,积体电路失效分析论坛)肯定,连续数年通过大会审核,并在大会期间发表最新研究成果。

宜特表示,近年企业为打造效能更高、功耗更低、体积更小的半导体元件以满足现今智能产品需求,各大厂在先进製程开发脚步越来越快,从20奈米、去年14奈米製程,陆续在今年往10奈米、7奈米製程进行量产准备;多家半导体大厂今年更已朝5奈米製程进行研发蓝图,带动整个供应链的材料分析需求。

宜特指出,材料分析是宜特近年重要佈局项目。产能方面近3年以倍增方式持续扩产;技术方面去年下半年材料分析技术达10奈米后,即陆续获得半导体客户委案。

宜特材料分析处处长陈声宇表示,5奈米製程是下一阶段各半导体厂商的竞逐场,宜特在先进製程演进过程提供检测验证方案,目前已有国际级半导体客户,朝5奈米製程迈进。

陈声宇指出,随著摩尔定律在5奈米製程以下将面临物理极限,业界也开始积极寻找微缩製程以外的解决方案,3D IC即为其中最受瞩目的解决方案;此次在IPFA所发表的论文「先进TEM材料分析技术于3D IC硅穿孔(TSV)製程之应用」,即是针对3D IC製程中的分析需求,所提出的新颖分析手法。

陈声宇说明,在3D IC製程中,宜特此次发表之论文,就是利用新颖的TEM分析技术,解析出3D IC製程结构的应力分佈,精确度可达数个奈米,可协助突破过往应力分析上的限制。