当TEM/EDS分析涉及碳、氮、氧等轻元素，若无特殊校正技术，成分分析的准确性将难以保证。本文介绍自我校正技术，透过参考相修正EDS数据，大幅提升氧化物、氮化物等分析的准确度，并以GaN薄膜案例验证其应用成效…

A14工艺即将问世，随着半导体组件尺寸微缩，原子探针断层扫描仪（APT）成为新兴的材料分析技术，APT的原理机制究竟是什么？而APT针尖型的样品又该如何制备呢？

TEM EDS轻元素，如碳、氮、氧等，容易导致TEM/EDS成份分析失真？原来都是低能量X光吸收效应在捣蛋。了解并克服这一问题，对于提高组件可靠性和成份分析的准确性至关重要…

在半导体制程接近极限之际，材料分析成为突破瓶颈的关键，业界经常使用电子显微镜(TEM)搭配X光能量散布能谱仪(EDS)解析微奈米材料。但EDS的能量分辨率较低，容易造成能峰重迭和伪讯号两大问题，该如何判读EDS能谱，才能解析出正确的材料成分分析结果?

差排轨迹 在芯片制造过程中，是一个相当棘手的问题，这个微小缺陷可能会引发半导体组件的漏电流，进而严重影响组件的可靠性。TEM是目前唯一能观察差排的分析工具…

氮化镓差排 是影响组件功能的一大要素。如何解析差排类型，并将差排的密度控制在一定范围，是第三类半导体发展的重要关键。目前产业中即使能检查出差排密度，但仅有TEM才能解析出差排类型，究竟TEM是运用什么原理来解析的呢?