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半自动化研磨 让样品制备变得更均匀精准,即使看似难以处理的样品材质,也能轻松应对。再也不会因为传统人工研磨力道难以控制,容易导致样品歪斜、厚度不均,甚至IC结构严重受损…
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从电性量测中发现芯片失效亮点,逐层观察到底层仍抓不到异常?碍于SEM没有定量电性量测电流的功能,即使在SEM影像中侦测到异常电压对比(VC)时,也无法得知异常点是发生在P接面还是N接面?
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GaN芯片异常,怎么办?宽能隙半导体大跃进,就看这篇!GaN氮化镓芯片往往容易因为场板和常见的RDL的特殊结构,使亮点容易被遮蔽,导致难以发现位于场板或门极下方的缺陷。为了提高故障分析的成功率,宜特独家基板移除技术,透过背向分析提升你的故障分析成功率。
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CIS产品能够从早期数十万像素,一路朝亿级像素迈进,端有赖于摩尔定律在半导体微缩工艺地演进,使得信号处理能力显着提升。然而同时,却也使得这类CIS产品在研发或量产阶段若遇到Defect现象时,失效分析困难度提升…
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先进制程中的故障分析,对于研发与产能来说更是至关重大,但组件尺寸越做越小,如何在仅有数奈米的微小尺度下,进行晶体管的特性量测以及缺陷处定位则成为了一大难题。当奈米级先进制程的组件发生故障,要找出微小尺度下的缺陷,该透过何种 奈米电性量测精准定位?
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芯片结构内部有问题,想要进行切片观察,方式好几种,该如何针对样品属性,选择正确分析手法呢?有传统Grinding;透过机械手法Polish至所需观察的Layer位置;透过Ion Beam进行切削;每一种分析手法有那些优势呢? 该如何选择呢…