先进制程中的故障分析，对于研发与产能来说更是至关重大，但组件尺寸越做越小，如何在仅有数奈米的微小尺度下，进行晶体管的特性量测以及缺陷处定位则成为了一大难题。当奈米级先进制程的组件发生故障，要找出微小尺度下的缺陷，该透过何种 奈米电性量测精准定位？

芯片结构内部有问题，想要进行切片观察，方式好几种，该如何针对样品属性，选择正确分析手法呢？有传统Grinding；透过机械手法Polish至所需观察的Layer位置；透过Ion Beam进行切削；每一种分析手法有那些优势呢? 该如何选择呢…

当不肖芯片通路商拿假IC鱼目混珠充当真品贩卖，劣质芯片使得产品良率亮红灯，进而冲击公司信誉与形象，采购方该如何是好?宜特归纳出鉴别真假芯片可留意的内容，包括组件编号、日期、制造商、焊接脚等外观/封装型式…

当IC失效时，想分析其中一颗组件或Die的异常状况，又碍于SiP、MCM内部打线太过复杂，将导致进行电性测试时，容易受到其他芯片或组件影响，造成判定困难。如何避开其他组件的干扰，正确判定测试结果…

当组件遇上了超过所能负荷的电压或电流时，组件很容易就烧毁造成过度电性应力的问题，出货在即，组装厂要IC设计快点给出解决方案。身为IC设计者，如何速找烧毁区，进行电路设计修改？奉上经典案例，三步骤，让您组件EOS异常点无所遁形…

IC出现漏电、短路等异常电性问题，来宜特进行IC开盖(De-cap)，准备做InGaAs、EMMI、OBIRCH等电性量测前，却发现IC开盖后，所有的电性异常问题都消失了….