氧化镓Ga2O3被称为第四代半导体的原因是，其超宽能隙的特性，相较于相较于第三代半导体碳化硅SiC与氮化镓GaN，将使材料能承受更高电压的崩溃电压与临界电场。本文将呈现如何应用TEM分析技术鉴定氧化镓…
在半导体工艺中，一旦更换了材料，就必须考虑工艺设备是否也需改变，设备变更后所生产的样品是否堪用、质量是否稳定符合原来IC设计的规格，因此在挑选新材料的开发时期以及确认材料变更后的生产验证，势必要进行一连串严格的材料分析….
在异质整合先进封装技术中，表面的机械特性与异质材料间界面的附着能力，将影响组件可靠性。如何藉由分析工具，确认异质整合组件材料中Underfill的流变特性，以及金属铜、介电材料等的材料附着能力与材料接合应力强度?…
半导体大厂先进工艺大战如火如荼展开，重砸资本支出在各项先进工艺设备；若要在这场大战夺得先锋，关键在于产品良率(Yield)是否能快速提升，而先进工艺设备缺陷 ，如何影响良率与如何透过材料分析改善缺陷…
先进工艺的样品Defect若过于分散，想顾及每个位置，一般研磨手法进行去层风险较高，可能无法兼顾，该如何处理?透过PFIB去层，不仅可以边切边拍，针对大范围的结构观察，不仅可完整呈现欲观察之结构，蚀刻效率更是传统Dual-Beam FIB的20倍以上，可有效缩短分析速率…
对高功率先进封装产品，「散热」一直是其可否长久运作的关键，确认散热胶(TIM)覆盖率及其实际黏着情形是必须的。但散热胶(TIM) 若出了问题，发生delamination或void等现象，就会造成产品失效