常用来判断P/N well的方式，是将芯片染色 (stain)后，再利用SEM(扫描式电子显微镜)拍摄其宽度、深度及量测磊晶层厚度，但是SEM的电子影像为黑白图像，无法有确切的数据或颜色可以分辨P/N well，往往需要自行判断与猜测…
Plasma FIB，不仅拥有Dual-Beam FIB双枪设计边切边拍，针对大范围结构观察，可完整呈现欲观察之结构，蚀刻效率更是Dual-Beam FIB的20倍以上..