氮化镓差排 是影响组件功能的一大要素。如何解析差排类型，并将差排的密度控制在一定范围，是第三类半导体发展的重要关键。目前产业中即使能检查出差排密度，但仅有TEM才能解析出差排类型，究竟TEM是运用什么原理来解析的呢?

从电性量测中发现芯片失效亮点，逐层观察到底层仍抓不到异常？碍于SEM没有定量电性量测电流的功能，即使在SEM影像中侦测到异常电压对比(VC)时，也无法得知异常点是发生在P接面还是N接面？

GaN芯片异常，怎么办？宽能隙半导体大跃进，就看这篇！GaN氮化镓芯片往往容易因为场板和常见的RDL的特殊结构，使亮点容易被遮蔽，导致难以发现位于场板或门极下方的缺陷。为了提高故障分析的成功率，宜特独家基板移除技术，透过背向分析提升你的故障分析成功率。

AEC-Q100 车规最新改版至Version J，有哪些主要差异？快来看宜特为你画的重点吧。以下我们将以三大面向为您剖析新版AEC-Q100。一、对特定制程与封装进行定义。此次改版，AEC-Q100特别针对28奈米制程、RF频率组件的ESD耐受程度，以及FC-BGA封装测试…

企业在撰写ESG永续报告书时，对于温室气体排放，往往面临一系列复杂问题，包括排放源识别、资料收集等挑战。如何满足ESG报告书的相关要求，让利害关系人对企业持有积极评价，同时赢得国际品牌厂的认可？ 本期小学堂借鉴宜特近年辅导各类客户并100%通过审核的丰富经验，助您顺利展开ESG…

薄膜硬度 和区域化应力，有没有推荐的工具分析这两者，最好后续还能搭配如SEM、 DB-FIB或TEM影像分析技术进一步地分析内部结构变化，找出造成故障的脆弱点位置呢? 為克服目前晶片多種材料機械特性不匹配問題，「奈米壓痕測試儀」及「奈米刮痕測試儀」為兩個重要的分析工具…