晶圆减薄的背面金属工艺中(Backside Metallization, BM)，厚银工艺 (Thick Ag Process)，在高真空的环境，利用电子束加热欲蒸镀之靶材，使靶材气化后附着在加热的芯片表面。
iST 宜特能为您做什么
宜特提供的厚银工艺 (Thick Ag Process)，以蒸镀机为客户提供10um~15um，甚至最高可达50um的厚银工艺。
厚银工艺 (Thick Ag Process)流程
晶圆完成入站检验后 (IQC)，按照客户指示之种类及厚度进行靶材准备后，进入蒸镀机 (Evaporator) 沈积金属。完成金属沈积 (Metal Evaporation) 后，再接着，进行厚度量测后 (Measurement)，出站检验 (OQC)。
iST 宜特服务优势
- 宜特提供的蒸镀机，可达厚度50 um之厚银。
- 提供双冷冻帮浦，提升金属成长高真空环境度。
- 靶材选择多样化，且可客制化。
- 工程师团队背景多元化，有来自前段晶圆代工厂、晶圆薄化专家、后段封装厂，熟悉前中后段之制程整合及分析，能协助客户快速开发、解决问题、稳定量产。
案例分享
Ti/Ni/Ag/Ni沈积后，藉由Cross Section观察，银的厚度达13.16um
- 现有厚度组合：10~15um己量产，可依客户需求进行厚度调整；16~50um开发中，可依客户需求进行开发及验证。
- 适用六吋、八吋、N型、P型晶圆
- 搭配Taiko Wafer可使Warpage降低是极佳的组合