iST宜特建置业界新型FEI Helios Plasma FIB (简称PFIB)，蚀刻速率提升20倍，配置高分辨率的SEM，能在数百微米的大范围内，精准定位出奈米尺度的特征物或异常点。

若是小范围且局部的剖面分析(Cross Section)，仍建议使用Dual Beam- FIB，边切边拍，让您快速取得结构图。但大范围结构观察(剖面>100um或 深度>50um以上)，即推荐使用P-FIB，不但蚀刻速率快，又可避免使用传统研磨的方式，因研磨应力产生的结构损坏与定位精准度问题。