首頁 Service 双束电浆离子束 (Plasma FIB) 双束电浆离子束 (Plasma FIB) 2017-07-14by tanja Plasma FIB(P-FIB)原理与Dual Beam FIB(DB-FIB)相似,差别如下: 离子源Xe(氙离子)PlasmaGa+ (镓离子) 蚀刻速率 (Probe current)1.5pA~1.3μA1.1pA~65nA DB FIB的离子源Ga+容易附着在样品表面,P FIB使用Xe可减少样品Ga污染问题。 P FIB可大范围面积快速执行,蚀刻速率提升20倍。 超过 100 um大范围结构观察,如何做Cross section? iST 宜特能为你做什么 iST宜特建置业界新型FEI Helios Plasma FIB (简称PFIB),蚀刻速率提升20倍,配置高分辨率的SEM,能在数百微米的大范围内,精准定位出奈米尺度的特征物或异常点。 若是小范围且局部的剖面分析(Cross Section),仍建议使用Dual Beam- FIB,边切边拍,让您快速取得结构图。但大范围结构观察(剖面>100um或 深度>50um以上),即推荐使用P-FIB,不但蚀刻速率快,又可避免使用传统研磨的方式,因研磨应力产生的结构损坏与定位精准度问题。 案例分享锡球检测完整呈现TSV结构大面积逐层去除 完整呈现锡球影像 亦可观察局部 Plasma FIB蚀刻效率佳,且范围大,可快速且完整呈现多根TSV结构。 PFIB可以透过电浆蚀刻(Plasma Etching)方式,完整且大面积的逐层去除。 应用范围设备能量 大范围的结构观察(>100μm以上),包括:3D 芯片、硅穿孔结构(TSV )、锡球(Solder ball)及铜柱(Cu pillar)、封装产品(WLCSP FA)等。 Delayer应用 (16nm先进制程以下)。 FEI Helios Plasma FIB E-beam分辨率:1.0nm @ 2kV I-beam分辨率: I-beam最大电流:1.3uA 联络窗口 | 中国免费咨询电话 400-928-9287 | email:marketing_chn@istgroup.com 您可能有兴趣的其他服务 双束聚焦离子束(Dual Beam FIB) 穿透式电子显微镜 (TEM) 扫描式电子显微镜 (SEM) 离子束剖面研磨 (CP) 俄歇电子能谱仪 (AES)