首頁 Service 芯片去层 (Delayer) 芯片去层 (Delayer) 2017-07-03by tanja 交互使用各种不同处理方式(离子蚀刻 / 化学药液蚀刻 / 机械研磨),使芯片本身多层结构((Passivation, Metal, Oxide)可一层一层去除,也就是芯片去层(Delayer)。透过芯片研磨(Polishing)与去层(Delayer)可逐层检视是否有缺陷,并可提供后续实验,清楚解析出每一层电路布线结构。 iST 宜特能为你做什么 以干、湿蚀刻及研磨(Polishing)等方法去除各Metal层做逆向分析,在以光学显微镜(50x~1500x)或电子显微镜拍摄(更大倍率),检视是否有Metal Leakage或Burn Out、Metal Short等异常,且可利用电子显微镜做VC对照参考,判断二次电子产生的亮暗异常。 逆向去层分析(Delayer) 一般Cu、Al金属层Delayer去层 (Cratering, Via, ARC, Metal, Barrier Metal, Substrate…) 闸氧Pin Hole(配合SEM扫描) FinFET制程 SEM电子显微镜 (型号: HITACHI SU8220 ) 较小制程或微小异常检视 二次电子扫描 FinFET制程之立体Substrate检视 EDS元素分析鉴定 利用不同元素的X射线光子特征能量不同进行成分分析,並分析出每种元素的含量。 iST 宜特服务优势1领先市场的分析能力:Cu制程去层技术已达10奈米Socket。 2快速交期:早上收件,隔天早上完成 3搭配HR-SEM & EDS,可提供业界高解析之表面结构影像,亦可快速进行材料成份分析。 案例分享芯片 Delayer完整解决方案(1)芯片 Delayer完整解决方案(2)FinFET制程去层 芯片 delayer去层→OM检视→Contact层分别以SEM高及低电压扫描(VC)→蚀刻至Gate Oxide以SEM扫描检视 芯片 delayer 去层至Contact→OM检视拍摄→SEM电子及二次电子扫描→研磨至Poly→SEM扫描Poly Profile FinFET Delayer制程去层至Substrate→OM检视拍摄→SEM扫描 联络窗口 | email:marketing_chn@istgroup.com 您可能有兴趣的其他服务 芯片电路修改/点针垫侦错 芯片开盖去胶(Decap) 剖面/晶背研磨(Cross-section & Backside) 点针信号量测(Probe) 扫描式电子显微镜 (SEM) 芯片结构/成本分析