芯片去层 (Delayer)

交互使用各种不同处理方式(离子蚀刻 / 化学药液蚀刻 / 机械研磨)，使芯片本身多层结构((Passivation, Metal, Oxide)可一层一层去除，也就是芯片去层(Delayer)。透过芯片研磨(Polishing)与去层(Delayer)可逐层检视是否有缺陷，并可提供后续实验，清楚解析出每一层电路布线结构。

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以干、湿蚀刻及研磨(Polishing)等方法去除各Metal层做逆向分析，在以光学显微镜(50x~1500x)或电子显微镜拍摄(更大倍率)，检视是否有Metal Leakage或Burn Out、Metal Short等异常，且可利用电子显微镜做VC对照参考，判断二次电子产生的亮暗异常。

逆向去层分析(Delayer)

一般Cu、Al金属层Delayer去层
(Cratering, Via, ARC, Metal, Barrier Metal, Substrate…)

闸氧Pin Hole(配合SEM扫描)

FinFET制程

SEM电子显微镜 (型号: HITACHI SU8220 )

较小制程或微小异常检视

二次电子扫描

FinFET制程之立体Substrate检视

EDS元素分析鉴定

利用不同元素的X射线光子特征能量不同进行成分分析，並分析出每种元素的含量。