首頁 Service X光绕射分析 (XRD) X光绕射分析 (XRD) 2017-07-03by ruby X光绕射分析(X-ray diffraction analysis, XRD) 是透过X光与晶体的绕射产生图谱,并从图谱数据库比对,即可推论出材料晶体的排列结构、晶体排列的方式和奈米晶粒大小,以及单晶、多晶薄膜材料的结晶性分析等,为评估材料特性的一种非破坏式分析仪器。 先进工艺新材料特性 就靠它来验如何不破坏样品,分析晶体结构与薄膜特性? iST 宜特能为您做什么 宜特引进的XRD(X光绕射分析),同时也搭载XRR(薄膜X光反射X-ray Reflectivity)功能。XRD是运用绕射原理,而XRR则是XRD的反射图谱,藉此可进一步得到薄膜厚度(达0.1nm厚度的精准度);样品表面、层与层的接口粗糙度;薄膜的电子密度;甚至可以进行多层膜分析(总厚度限制在500nm以下),为非破坏分析薄膜材料特性的绝佳工具。 iST 宜特服务优势1XRD最小光点分析力: 0.3mm 2高功率,高强度X光源: 6kW 3定点图样分析: 雷射光点定位 4样品分析尺寸:可放置12英寸晶圆,移动范围8英寸 案例分享XRD可分析的材料特性双层奈米薄膜Al2O3之XRR分析LED 磊晶高解析(HR)XRD分析 材料晶格结构特性分析应用 分析样品: Al2O3/Si 以下是硅基材上成长氧化铝薄膜的X光反射图谱拟合的结果,从以下表格中可以看到实际上有两层不同密度的氧化铝薄膜,上下层的厚度分别为0.94nm与6.69nm;另外氧化铝表面与硅基材接口的粗糙度分别约0.49nm与0.23nm。 分析样品: InxGa1-xN/GaN超晶格 以下是LED芯片磊晶结构的高解析X光绕射分析图,从图中拟合的结果,可以看到超晶格InxGa1-xN/GaN的厚度与组成比例分别为2.4nm/14.35nm与x=16.27%。 SIMS应用范围设备能量应用产业 晶体结构分析(晶格) 结晶性分析 织构(texture)分析 薄膜残余应力分析 倒晶格空间图(RSM)分析 XRR分析 Bruker New D8 Discover X光源6kW turbo X-ray spot size: 0.3*3mm 侦测器LynxEye PathFinder 其他功能2 bounce monochromator Ge (002) Laser alignment 半导体产业 LED产业 光电产业 PCB产业 联络窗口 | email:marketing_chn@istgroup.com 您可能有兴趣的其他服务 原子力显微镜 (AFM) 扫描式电子显微镜 (SEM) 剖面/晶背研磨 (Cross-section/Backside) 穿透式电子显微镜 (TEM)