发布日期：2017/5/23
发布单位：iST宜特
通讯组件失效了，Bug警示灯号响起，原来是发生漏电。
漏电源(Hot spot)到底在哪里? 失效分析的方式在哪儿呢?
通讯芯片和一般以硅元素组成的芯片相比，最大的不同在于，通讯组件，封装形式较单纯，使用层数较少，因此在找失效点前的样品制备上，不适合用delayer方式一层一层去除，因为容易也将缺陷点(defect)给去掉。
此外，通讯芯片主要原料是磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)，特别怕酸液的侵蚀，所以样品去封胶的酸液调配就是关键，特别是不同制程的通讯芯片，配方比例就会有所不同。
完成样品制备后，该如何串接各项失效分析工具，直捣黄龙找到Bug?
以下手刀奉上两大经典通讯IC失效案例，让我们来看看，宜特如何神速为客户找到漏电源。
案例1：光通讯组件漏电，P电极端无法侦测，换个方向从N电极端下手，Hot Spot立刻现形。
光通讯组件漏电，P电极端(P-Electrode)有较厚的金属层当电极层，遮蔽了漏电源(Hot Spot) (见下图1-1)。宜特利用特殊的样品制备手法，从N电极端下手，Hot Spot立刻现形(图1-2)。
大范围的找到漏电源之后，进行更进一步显微切片分析结构观察，发现金属层与Substrate层的接合处，出现defect (图1-3)，因此分析，此defect就是造成通讯组件功能衰减而有漏电。
图1-1:P电极端找不到
图1-2:从N电极端，找到了
图1-3:切片分析发现缺陷在接合处
案例2:样品制备酸液配方是关键，简单两步骤，快速找到微波通讯组件Defect
微波通讯组件在样品制备Decap时，酸液容易侵蚀样品，宜特使用独门的酸液配方，搭配精确失效分析工具选择：
- 先利用OBIRCH大范围抓到Hot Spot热点(图2-1)
- 接着使用Dual beam FIB切片后(图2-2)，Defect立刻在绝缘层(Dielectric oxide)现形!发现绝缘层烧毁，使上下电极层(Electrode metal)有漏电现象。
图2-1:利用OBIRCH找到漏电源
图2-2:Dual beam FIB切片观察，确认绝缘层烧毁造成漏电
本文与各位长久以来支持宜特的您，分享经验，若您任何IC异常状况不知如何分析，或是对相关知识想要更进一步了解细节，欢迎洽询中国免费咨询电话: 400-928-9287│ Email: marketing_chn@istgroup.com。