温湿度试验(Temperature/Humidity)

产品会失效，部分原因来自于湿气。湿气会沿着芯片胶体缝隙或引脚接缝渗入产品内部，而使芯片内部金属间互相导通，产生短路或漏电流现象。温湿度试验 (Temperature and Humidity test)，其目的在于检测芯片封装体对湿气的抵抗能力，藉以确保产品可靠性。

温湿度试验(Temperature with Humidity)，是藉由高温、高湿、高压的加速因子下，验证评估非密封性包装之电子零组件中，封装材质与内部线路对湿气腐蚀抵抗的能力，针对消费性元器件，JEDEC 定义测试条件包括，THB、 HAST、uHAST、PCT。

Test Item	Temperature	Humidity	Vapor Pressure	Bias	Test Duration
HAST	130±2 ℃	85±5%	33.3psia	V _cc max	96(-0,+2)Hrs
HAST	110±2 ℃	85±5%	17.7psia	V _cc max	264(-0,+2)Hrs.
THB	85±2 ℃	85±5%	7.12psia	V _cc max	1000(-24,+168)Hrs.
uHAST	130±2 ℃	85±5%	33.3psia	NA	96(-0,+2)Hrs.
uHAST	110±2 ℃	85±5%	17.7psia	NA	264(-0,+2)Hrs.
PCT	121±2 ℃	100%	29.7 psia	NA	96(-0, +5) Hrs duration is typical for this test.

*其中 HAST 为 THB 的加速,故可择一实验
*于 JESD47 内提到，若选择执行 HAST 或 THB 则 uHAST 评估不执行

将待测产品放置于严苛之高温、高湿、高压测试环境，并同时施加电压，促使水气沿着胶体 (EMC)、导线架 (Lead Frame) 或基板 (Substrate) 的接口渗入产品内部，而可验证是否有以下失效情形：

界面接合性
打线材料与芯片或铝垫间介金属化合物的变化
电解腐蚀 (Electrolytic Corrosion) 形成离子迁移 (Ion Migration)，进而漏电短路 (Short-circuit Leak) (参见下图)

离子迁移现象，析出树枝状金属，造成不同区域的金属互相连接

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温湿度试验 (Temperature/Humidity)