传统机械研磨(Grinding)最大优势，是可以达到大面积的观察范围(<15cm皆可)，跨越整颗晶粒(Die)，甚至是封装品(Package)，因此在需全面性檢視堆疊的結構或是尺寸量测等等，就适合使用Grinding手法 (图一)。此手法可透过机械切割、冷埋、研磨、抛光四步骤，抛光(polish)至所需观察的位置 (阅读更多请点此)。

相较于传统机械研磨(Grinding)，Cross-section Polisher (简称CP)的优点在于，利用离子束切削(ion milling)作最后的ending cut，可以减低多余的人为损伤，避免传统研磨机械应力产生的结构损坏。且除了切片外，CP还有另一延伸应用，就是可以针对样品进行表面微蚀刻，来帮助您解决研磨后造成的金属延展或变形问题。因此若您欲观察金属堆栈型之结构、界面合金共化物Intermetallic compound(简称IMC)，CP是非常适合的分析手法。

CP的手法，就是先利用研磨(Grinding)将样品先停在目标区前，再使用氩离子Ar+，取其一范围切削至目标观测区，此做法不仅能有效缩短分析时间，后续再搭配扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，简称SEM)进行拍摄，将能够完整呈现绝佳材料对比(图三)。

在3D-IC半导体工艺技术中，不想用研磨(grinding)将样品整个破坏，这时就可考虑使用「电浆聚焦离子束显微镜Plasma FIB，简称PFIB)」分析手法，结合电浆离子蚀刻加工与SEM观察的功能，适用于分析范围在50-500 um的距离内，可进行截面分析与去层观察(阅读更多: 先进工艺芯片局部去层找Defect 可用何种工具)，甚至针对特定区域亦可同时边切边观察，不用担心因盲目切削而会有误伤目标区的状况，确保异常或是特定观察结构的完整性(图六)。

结合镓离子束与SEM的双束聚焦离子显微镜(Dual Beam FIB，简称DB-FIB)，能针对样品中的微细结构进行奈米尺度的定位及观察(图七)，适用于分析范围在50um以下的结构或异常观察；同时亦可进行EDX以及电子背向散射(Electron Backscatter Diffraction，简称EBSD)的分析，可得到目标区的成分以及晶体相关讯息，除了上述分析之外，当观察的异常区域或结构太小，用SEM无法得到足够的讯息时，DB-FIB也可以执行穿透式电子显微镜(Transmission Electron Microscope，简称TEM)的试片备制，后续可用TEM进行更高分辨率的分析。