Backside Metallization
晶圆减薄的背面金属工艺中,金属蒸发沉积 (Metal Evaporation for Backside Metallization ),在高真空的环境,利用电子束加热欲蒸镀之靶材,使靶材气化后附着在加热的晶圆表面。
金属蒸发沉积 (Metal Evaporation for Backside Metallization) 流程
晶圆完成入站检验后 (IQC),按照客户指示之种类及厚度进行靶材准备后,进入蒸镀机 沈积金属 (Evaporator)。完成金属蒸镀沈积 (Metal Evaporation) 后,以Alpha Step进行随货样本片量测,再依客户需求进行产品上非破坏性XRF量测,将各层金属量测 (Measurement) 完成后,出站检验 (OQC),至此BGBM制程完成。
iST 宜特服务优势
- 提供双冷冻帮浦,提升金属成长高真空环境度。
- 靶材选择多样化,且可客制化。
- 完成蒸镀后之量测,除了有业界使用的Alpha Stepper量测总厚度外,更提供XRF以非破坏性的方式,在多层金属下,量测出个别金属层的厚度。
- 蒸镀金属附着性良好,在高温高湿85℃/ 85%、500小时可靠度验证下,无金属剥离 (Non-metal Peeling) 情况。
- 工程师团队背景多元化,有来自前段晶圆代工厂、晶圆薄化专家、后段封装厂,熟悉前中后段之制程整合及分析,能协助客户快速开发、解决问题、稳定量产。
案例分享
Backside Metal
Blue Tape
OM 50X
OM 200X
高温高湿85度℃ 85%的 500小时可靠度验证,并进行晶粒挑拣 (Die Sawing) 后,以Blue Tape进行金属剥离测试Peeling test,无任何剥离 (Peeling) 产生。
粗面的芯片在完成蒸镀后,镀上的银呈现纸白色
- 现有金属组合: Ti / Ni / Ag、 Ti / Ni / Ti / Ag、 Ti / Ni / Ag / Ni、 Ti / Ni / Ag / Sn,可依客户需求进行厚度调整
- 适用六吋、八吋、N型、P型晶圆
- 可配合客户进行其他金属组合开发