首頁 Production MOSFET 晶圆后端工艺 (BGBM) MOSFET 晶圆后端工艺 (BGBM) 2018-07-30by ruby 在前段晶圆代工厂完成晶圆允收测试(WAT)后,进行封装(Assembly)前,如何进行芯片薄化与背金成长(BGBM)? 好不容易完成了芯片薄化与背金成长,但后续又得将晶圆运送到其他地方做CP和切割,有没有一次就做到好的合作伙伴? 1.5 mil 晶圆减薄新挑战,如何在 Taiko BGBM 工艺提升芯片强度MOSFET正面金属化工艺(FSM)的两种选择-溅镀V.S.化学镀快问快答-两分钟速懂MOSFET晶圆减薄揭开晶圆减薄太鼓工艺神秘面纱如何不变更设计,快速降低MOSFET的导通阻抗RDS(on) 宜特导入专业人才与先进工艺,协助您最短时间内完成芯片薄化与背金增长(BGBM) 多种粗化工艺解决方案 多种背金解决方案 背银厚度达15um及多种正面金属工艺解决方案 完整而广泛的一站式服务 自动化生产客制化量产团队专业经验丰富设备完善 服务特色 一站到位(One-Stop)服务MOSFET 正面金属工艺 (FSM)Front-Side Metallization Process MOSFET 芯片薄化工艺Backside Grinding Process MOSFET 背面金属工艺Backside Metallization Process 其他服务后段工艺完整解决方案Turnkey Solution For Backend Process 半导体制造流程 图说:宜特结合子公司创量科技(旧名:标准科技),可提供从晶圆工艺处理一路到后段CP、WLCSP与DPS一站式解决方案。 服務項目 MOSFET 正面金属化 FSM 工艺化学镀 (Chemical / Electro-less Plating) 正面金属溅射沉积 (Front-Side Metal Sputtering Deposition) MOSFET 芯片薄化工艺晶圆减薄(Wafer Thinning/ Non-Taiko Grinding/Conventional Grinding) 太鼓超薄研磨 (Taiko Grinding) MOSFET 背面金属化工艺金属蒸发沉积 (Metal Evaporation for Backside Metallization) 厚银工艺 (Thick Ag Process) 背面金属溅射沉积 (Metal Sputtering Deposition)-建置中 电镀( Electro-Plating)-建置中 后段工艺完整解决方案搭配子公司创量科技(旧名标准)提供多项服务,并可依客户需求,进行工艺微调,为客户提供整合前段晶圆厂及后段Assembly组装厂之工艺解决方案。 芯片探测(Chip Probing) 激光刻号(Laser Marking) 真空贴片(Vacuum Mounting) 太鼓环移除(Ring Removal) 芯片切割(Die Sawing) 切割后测试(Frame Probing) 晶粒挑拣(Tape&Reel) 最终测试(Final Test) 联系窗口 | 谢先生 / Felipe Hsieh | 电话:+886-3-579-9909#5802 | Email: web_sp@istgroup.com