首頁 Production MOSFET 晶圆后端工艺 (BGBM)

MOSFET 晶圆后端工艺 (BGBM)

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MOSFET 晶圆后端工艺 (BGBM)

by ruby

在前段晶圆代工厂完成晶圆允收测试(WAT)后，进行封装(Assembly)前，如何进行芯片薄化与背金成长(BGBM)？

好不容易完成了芯片薄化与背金成长，但后续又得将晶圆运送到其他地方做CP和切割，有没有一次就做到好的合作伙伴？

1.5 mil 晶圆减薄新挑战，如何在 Taiko BGBM 工艺提升芯片强度
MOSFET正面金属化工艺(FSM)的两种选择-溅镀V.S.化学镀


宜特导入专业人才与先进工艺，协助您最短时间内完成芯片薄化与背金增长(BGBM)
  • 多种粗化工艺解决方案
  • 多种背金解决方案
  • 背银厚度达15um及多种正面金属工艺解决方案
  • 完整而广泛的一站式服务

自动化生产

客制化量产

团队专业

经验丰富

设备完善

服务特色

一站到位(One-Stop)服务

MOSFET 正面金属工艺 (FSM)

Front-Side Metallization Process

MOSFET 芯片薄化工艺

Backside Grinding Process

MOSFET 背面金属工艺

Backside Metallization Process

其他服务

后段工艺完整解决方案

Turnkey Solution For Backend Process

半导体制造流程

图说:宜特结合子公司宜锦科技，可提供从晶圆工艺处理一路到后段CP、WLCSP与DPS一站式解决方案。

服務項目
MOSFET 正面金属化 FSM 工艺
MOSFET 芯片薄化工艺
MOSFET 背面金属化工艺
后段工艺完整解决方案

可依客户需求，进行工艺微调，为客户提供整合前段晶圆厂及后段Assembly组装厂之工艺解决方案。

  • 芯片探测(Chip Probing)
  • 激光刻号(Laser Marking)
  • 真空贴片(Vacuum Mounting)
  • 太鼓环移除(Ring Removal)
  • 芯片切割(Die Sawing)
  • 切割后测试(Frame Probing)
  • 晶粒挑拣(Tape&Reel)
  • 最终测试(Final Test)

联系窗口 | 游先生/Stan Yu | 电话:+886-3-579-9909#5888 | Email: web_sp@istgroup.com