Wafer Thinning
晶圆减薄的背面研磨工艺中(Backside Grinding, BG)，利用研磨轮，进行快速而精密之研磨 (Grinding) 后，再以蚀刻液进行表面微蚀刻，藉以去除因研磨产生的破坏层，并释放应力。
iST 宜特能为您做什么
完整的BGBM制程，第一步是晶圆薄化，在研磨 (Grinding) 及蚀刻后，可为客户提供厚度达到仅100um的厚度，并利用晶背湿蚀刻 (Backside Wet Etching) 进行芯片表面厚度再减薄、粗化及降低应力。
一般研磨 (Wafer Thining/Non-TaikoNon-Taiko Grinding)流程
客户晶圆完成入站检验后，依照客户晶圆特性，与前段晶圆代工厂所生产的护层确认所需使用之胶带后，进行胶带贴附 (Taping)；接着，进行一般研磨 (Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding)，并在完成一般研磨后，进行晶背湿蚀刻 (Backside Wet Etching)；最后，进行厚度量测 (Measurement) 后，出站检验。
iST 宜特服务优势
- 采用DISCO全自动机台，可精准控制研磨
- 提供有槽式及单片式蚀刻机台，可依客户需求对N型或 P型晶圆提供亮面与粗面制程。
- 提供非接触式光学量测，高精准度，完胜一般业界所使用之千分表 (Dial Gauge)。
- 工程师团队背景多元化，有来自前段晶圆代工厂、晶圆薄化专家、后段封装厂，熟悉前中后段之制程整合及分析，能协助客户快速开发、解决问题、稳定量产。
案例分享
研磨后的晶圆：可清楚看见研磨痕
蚀刻后的晶圆：表面己粗化
- 现有厚度组合： ≧100um，可依客户需求进行厚度调整
- 适用八吋、六吋、P型 / N型晶圆