导电式原子力显微镜 (Conductive Atomic Force Microscopy, 简称C-AFM)与AFM原理类似，皆是利用探针针尖与样品表面原子之间的作用力，呈现样品表面形貌。但不同之处在于，C-AFM在扫描样品时，能同步施加偏压(Bias)，再由探针撷取电流得到电流图(Current Map)，经过判读即可发现样品电性的异常点。
iST 宜特能为你做什么
一般失效分析手法不外乎先从电性量测定位出亮点，接着使用扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope, 简称SEM）逐层观察找异常(defect)，但因为SEM缺乏定量的电性量测功能，可能会错失SEM 电压对比 (Voltage Contrast) 无法发现的异常点，此时可以利用C-AFM来辅助。C-AFM可以大范围扫描目标区域并施加偏压于试片晶背上，再由一支导电探针撷取电流，可快速得知异常位置的电性是往Ｐ接面、Ｎ接面，还是往Bulk的漏电或开路故障。
iST 宜特服务优势
宜特一站式失效分析，可协助您先以电性失效分析侦测到亮点，并执行Decap/Delayer后进行SEM和C-AFM分析，更可接续以奈米探针电性量测( Nano Prober)，对失效点精确定位后再进行材料分析，如双束聚焦离子束(Dual-Beam FIB，简称DB-FIB)或是穿透式电子显微镜(Transmission Electron Microscopy，简称TEM)切片分析，找出异常点的真因。
案例分享
(a)工艺开路失效示意图；(b) C-AFM的I-V曲线结果。
(a)工艺短路失效示意图；(b) C-AFM的I-V曲线结果。
(a)工艺闸极漏电失效示意图；(b) C-AFM的I-V曲线结果。
(a)工艺高阻抗失效示意图；(b) C-AFM的I-V曲线结果。
样品量测IV Curve最大电压±10 V，限电流最大1uA，样品直径需小于2 cm，扫描范围最大50x50 um2。