首頁 Service 奈米探针电性量测(Nano probe) 奈米探针电性量测(Nano probe) 2020-12-08by edmund 透过SEM显微镜的极小曲率半径探针,搭接IC内部线路或接触层(Contact Layer),使其外接电性量测设备,藉此输入讯号并量测电特性曲线;另外,亦可利用SEM电子束特性,进行相关应用分析,包括EBIC電子束感應電流(Electron Beam Induced Current)、EBAC電子束吸收電流(Electron Beam Absorbed Current )、EBIRCH電子束感應阻抗偵測 (Electron Beam Induced Resistance Change)。 名针探精准定位 让纳米电性量测找出缺陷 iST 宜特能为你做什么 1. 在SEM真空环境下进行电特性量测,可避免外界环境的噪声干扰。对于半导体组件的故障分析,以及组件在奈米尺度下的研发,提供直接且快速的信息。 2. 在IC内部线路层或接触层(Contact Layer)电性量测发现异常后,可在同一台设备切换量测模式,直接确认异常位置。 iST 宜特服务优势1可依不同需求,快速切换功能,同时进行量测与定位异常位置。 2针对先进工藝之组件,搭配SEM高倍率电子显微镜进行精准量测,可量测到7奈米(nm)工藝。 案例分享Nano Probe 奈米探针电性量测EBIC 电子束感应电流EBAC电子束吸收电流 IC样品去层至接触层(Contact Layer)后,在SEM真空环境下进行电性量测。 使用EBIC于接触层(Contact Layer)定位异常点,提高异常点定位精准度。 使用EBAC找出电路之开路(Open)异常位置。 应用范围 组件电特性分析 组件质量及故障分析 联络窗口 | email:marketing_chn@istgroup.com 您可能有兴趣的其他服务 半导体组件参数分析(I-V Curve) 点针信号量测(Probe) 原子力显微镜(AFM) IC 层次去除 (Delayer) 穿透式电子显微镜 (TEM)