重复擦写测试(Cycling Endurance Test)：分别于高温和常温下对非挥发性内存组件进行固定次数的Erase/Program，目的为测试该组件重复擦写的耐久能力。
数据储存能力测试(Data Retention Test)： 将数据储存于非挥发性内存组件后，分别进行高温加速烘烤和常温读取组件内数据，目的为测试该组件的数据储存能力。
测试条件
| Stress | Ref. | Abbv. | Conditions | Requirements Lots/SS per lot | Requirements Duration/Accept |
|---|---|---|---|---|---|
| Nonvolatile Memory 125 °C Uncycled High Temperature Data Retention | JESD22-A117 | UCHTDR | FGCT: TA Nonvolatile Memory 125 °C PCM: TA 90 °C | 3 Lots / 77 units | 1000 hrs / 0 Fail / note(a) |
| Nonvnlatile Memory Cycling Endurance | JESD22-A117 | NVCE | 25 °C and 85 °C ≥TJ 55 °C | 3 Lots / 77 units | Up to Spec. Max Cycles per note (b) / 0 Fails |
| Up to Spec. Max Cycles per note (b) / 0 Fails | JESD22-A117 | PCHTDR | FGCT: Option 1: TJ = 100 °C PCM: Option 1: TJ = 90 °C ------------ FGCT : Option 2: TJ 125 °C PCM: Option 2: TJ 100 °C | 3 Lots / 39 units | Cycles per NVCE(55 °C) / 96 and 1000 hrs / 0 Fail /note (c) -------------- Cycles per NVCE(55 °C) / 10 and 100 hrs / 0 Fail / note (c) |
| Nonvolatile Memory Low-Temperature Retention and Read Disturb | JESD22-A117 | LTDR | TA = 25 °C | 3 Lots / 38 units | Cycles per NVCE(25 °C) / 500 hrs / 0 Fail / note (d) |
Follow JESD 47 Table 1a
失效模式
- 重复擦写测试(Cycling Endurance Test)
- 无法达到该非挥发性内存组件规格书定义的擦/写次数。
- 无法于该非挥发性内存组件规格书定义的擦/写次数内进行抹除或写入动作。
- 数据储存能力测试(Data Retention Test)
- 无法达到该非挥发性内存组件规格书定义的数据储存时间。
- 因电荷流失、电容性耦合失效等等原因造成数据储存错误。
服务优势
- 拥有协助数个内存大厂进行非挥发性内存耐久性测试经验。
- 可协助客户编辑Flash 测试Pattern，另可提供编辑DDR3/DDR4/LPDDR2 HTOL/ELFR 测试Pattern。
参考规范
- JESD 47 / JESD22-A117 / JESD22-A103 / JESD22-A108
- AEC-Q100 / AEC-Q100-005
- 车用、消费性、 商用、工业用