正面金属化工艺是MOSFET晶圆减薄的一个关键工艺，正面金属化工艺的目的，就是藉由溅镀或化学镀方式形成UBM，接着做铜夹焊接 (Clip Bond)，以降低导线电阻….

那要如何清楚以逆向工程方式，透视微奈米级的线路避免专利纠纷？可利用大范围扫描拍照拼图达四万倍、局部拍照可达百万倍的扫描电子显微镜(SEM)来进行拍照…

大部分客户，对于消费型产品规范都十分熟悉，当要跨入汽车电子时，最大问题就是不了解汽车电子要遵循哪些国际规范。如何用简单三步骤，节省车电验证时间与成本?…..

IC有问题，想抓出缺陷，却总是选错分析方式与仪器?近乎隐形的制程问题，奈米等级的表面污染缺陷，该如何选择到位的分析方式呢?宜特在验证分析领域耕耘20多年…

WLCSP IC进行FIB线路修补时将面临两大挑战，一是IC下层的电路，会被上方的锡球与RDL给遮盖住，二是少数没有遮盖到的部分，也会因上方较厚的Organic Passivation…..

MOSFET组件供不应求，IDM又产能满载，交期大幅拉长怎么办？完成了晶圆薄化与表面处理，后续又得将晶圆转运去做CP和切割，有没有一次就做到好的厂商？