首頁 技术文库 宜特跨攻MOSFET晶圆后端处理集成服务

宜特跨攻MOSFET晶圆后端处理集成服务

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宜特跨攻MOSFET晶圆后端处理集成服务

by ruby

发布日期:2018/06/29
发布单位:iST宜特

MOSFET组件供不应求,偏偏IDM产能满载,交期大幅拉长怎么办?
好不容易完成了晶圆薄化与表面处理,但后续又得将晶圆运送到其他地方做CP和切割,有没有一次就做到好的厂商?

随着车用电子产品功能愈来愈多元,对于低功耗的要求也愈来愈高,MOSFET成为车用电子、电动车势不可挡的必备功率组件。面对客户庞大需求,目前市面上却产能不足,而偏偏从「晶圆量产」后到「封装」之间,缺少一个重要的桥段-晶圆薄化与表面处理。

宜特在车用可靠度验证分析本业上,已做到亚洲龙头,然而在服务客户的同时,发现了此缺口,若将这段填补起来,以一站式完成晶圆薄化、表面处理、CP(Chip Probe)封装前测试,乃至WLCSP(晶圆级晶粒尺寸封装)所需的DPS(Die Processing Service)裸晶切割包装服务,可加速MOSFET组件出货速度,并且降低晶圆转运过程的风险。

于是,介于晶圆代工(Front-End)到封装(Back-End)之间的制程代工量产服务-「MOSFET晶圆后端处理集成服务」就此诞生,这一段制程需要对晶圆进行特殊加工处理。因此,宜特除了提供主流八吋晶圆外,亦涵盖六吋晶圆处理,服务项目包括正面金属化(Front Side Metallization, FSM)及BGBM晶圆薄化: 背面研磨(Backside Grinding, BG)、背面金属化(Backside Metallization, BM);值得一提的是,针对正面金属化制程(FSM)的部份,提供的化镀和溅镀服务,是目前市场上唯一一家可同时提供两项完整服务的公司,藉此为客户打造整体性解决方案。

而宜特除了针对晶圆处理外,并向下结合宜特子公司创量科技(旧名:标准)的CP(Chip Probe)封装前测试、晶圆级晶粒尺寸封装(WLCSP)与DPS (Die Processing Service)裸晶切割包装服务,以降低晶圆转运过程的风险,提供「MOSFET晶圆后端处理集成服务」完整的一站式解决方案。

BGBM

图说:图为半导体制造流程,宜特结合子公司标准科技,可提供从晶圆制程处理一路到后段CP、WLCSP与DPS一站式解决方案(参见图内绿底绿字)。

本文与各位长久以来支持宜特的您,分享经验,若您对MOSFET晶圆后端处理集成服务,想要更进一步了解细节,欢迎洽询+886-3-579-9909 分机5802 谢先生│Email: web_SP@istgroup.com