首頁 技术文库 如何利用SEM全视界影像技术,逆向透视奈米等级工艺,避免侵权?

如何利用SEM全视界影像技术,逆向透视奈米等级工艺,避免侵权?

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如何利用SEM全视界影像技术,逆向透视奈米等级工艺,避免侵权?

by ruby

发布日期:2018/11/20
发布单位:iST宜特

你或许知道可以利用逆向工程了解IC设计架构,避免专利纠纷。
那你知道,可以用什么工具进行逆向工程,透视奈米等级的IC线路呢?

逆向工程,又称反向还原工程(Reverse Engineering),不熟悉此工程的人,常常将之与黑客、盗版、窃盗连结在一起。但其实不尽然,随着专利战盛行,逆向工程对于许多企业而言,不仅是用来保护自身的专利,确保竞争对手不能非法使用这些专利,同时也保护自己不会侵犯到竞争对手的专利。

而对于半导体产业而言,逆向工程更一直是IC研发设计的主轴,可以协助IC设计公司在开发新产品所需的成本、工时、人力与技术作全面性的分析,并在电路提取上可针对有专利性的电路,经专利地图数据库分析比较以做好专利回避,藉此了解市场态势并掌握商机。

在早期进行IC逆向工程,会使用光学显微镜(OM)进行拍照来观察IC线路设计,然而,在半导体随摩尔定律逐步从28nm、16nm、10nm、7nm、5nm一路往更小的工艺推进后,光学显微镜(OM)受限在全自动拍照拼图仅1500倍率下,已无法清楚拍出线路。

图片说明:此为使用光学显微镜(OM) 1500倍镜头拍摄之影像,左图是由一千张拼图而成的OM影像,右图为取之左图其中一小块的影像,无法清楚呈现奈米等级的线路影像

那要如何清楚透视微奈米级的线路?可利用大范围扫描拍照拼图达四万倍、局部拍照可达百万倍的扫描电子显微镜(SEM)来进行拍照。

SEM有两个功能,一个是产品有缺陷,用来进行失效分析找Defect,这种案例通常只需要进行「局部拍照」;第二种功能,就是本篇小学堂所讨论用在IC的逆向工程,为了要避免专利纠纷、做好专利回避,此时的拍照,就不能只是局部拍照,必须大范围扫描拍照,透视IC中所有的线路。

宜特最新引进的SEM机台,可搭配拼接图片软件,大范围扫描拍摄IC,显微透视达4万倍的IC线路设计。

图片说明:此为使用扫描电子显微镜(SEM)大范围拍摄之影像,左图是由100张拼图而成的SEM影像,右图为取之左图其中一小块的影像,可以清楚呈现奈米等级的线路。

值得一提,宜特协助客户完成SEM大范围拍照拼图影像后,客户亦可搭配宜特提供的软件,进行:

  1. 任意放大移动检视图片
  2. 标尺量测功能
  3. 各层Metal线路图的对应关系
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图片说明:搭配宜特软件,可自行任意放大移动检视图片,清楚呈现奈米等级的线路影像(左上、右上、左下图)。并具备标尺量测功能(右下图)

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图片说明: 藉由层层delayer,并使用SEM拍照拼图,客户可透过宜特软件,检视各层Metal之对应关系

本文与各位长久以来支持宜特的您,分享经验,若您想要更进一步了解细节,欢迎洽询中国免费咨询电话,400-928-9287│ Email: marketing_chn@istgroup.com

※备注1: 本文案例图为市售IC样品,非宜特客户IC样品。
※备注2: 客户之IC样品宜特视为最高机密,因此绝对不会将客户送样分析结果,泄漏给其他客户。

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