Plasma FIB(P-FIB)原理与Dual Beam FIB(DB-FIB)相似，差别如下:
| 离子源 | Xe+（氙离子）Plasma | Ga+ (镓离子) |
|---|---|---|
| 离子束电流(Probe current) | 1.5 pA~2.5 μA | 1.1 pA~65 nA |
- DB-FIB的离子源Ga+容易附着在样品表面，P-FIB使用Xe可减少样品Ga污染问题。
- P-FIB可大范围面积快速执行，蚀刻速率提升20倍以上。
iST 宜特能为你做什么
iST宜特建置业界最新型Thermo Fisher Scientific Helios 5 Plasma FIB (简称PFIB)，蚀刻速率较传统Dual-Beam FIB 可提升20倍以上，配置高分辨率的SEM，能在数百微米的大范围内，精准定位出奈米尺度的特征物或异常点。
若是小范围且局部的Cross section分析，仍建议使用Dual-Beam FIB，边切边拍，让您快速取得结构图。但大范围结构观察(剖面>100um或 深度>50um以上)，即推荐使用PFIB，不但蚀刻速率快，又可避免使用传统研磨的方式，因研磨应力产生的结构损坏与定位精准度问题。
案例分享
完整呈现锡球影像
亦可观察局部
Plasma FIB蚀刻效率佳，且范围大，可快速且完整呈现多根TSV结构。
PFIB可以透过电浆蚀刻（Plasma Etching）方式，完整且大面积的逐层去除。
- 大范围的结构观察(>100μm以上)，包括：3D 芯片、硅穿孔结构(TSV )、锡球(Solder ball)及铜柱(Cu pillar)、封装产品(WLCSP FA)等。
- Delayer应用 (28 nm先进制程以下)。
Thermo Fisher Scientific Helios 5 PFIB
- E-beam分辨率：0.7nm @ 1 kV
- I-beam分辨率：<20nm @ 30 kV
- I-beam最大电流：2.5 μA