正面金属化工艺是MOSFET晶圆减薄前的一个关键工艺，由于MOSFET具备高开关切换速度，低输入阻抗与低功率耗损之特性，必須承受大电流，因此在工艺上，必须使用铜夹焊接 (Clip Bond)加大电流路径来取代金属打线焊接(Wire Bond)，藉此降低导线电阻与RDS(on)(导通阻抗)。

而正面金属化工艺的目的，就是藉由溅镀或化镀方式形成UBM，接着做铜夹焊接 (Clip Bond)，以降低导线电阻。

在使用夹焊(Clip Bond)时，由于铝垫上方必須要有凸块下金属层(Under Bump Metallurgy, 下称UBM)，来做为铝垫和铜夹(Clip)之间的焊接表面(Solder Surface)。UBM的组成金属元素，在溅镀和化镀上各有不同，溅镀使用钛/镍钒/银(Ti/NiV/Ag)；化镀则是使用镍金/镍钯金(NiAu/NiPdAu)。

如果MOSFET组件需要进行夹焊(Clip Bond)或是混合焊(Mixed Bond, 指Source用Clip Bond, Gate用Wire Bond)时，需要在铝垫上方做出UBM，以和Clip接合，所以若是MOSFET并没有大电流应用时，会做Wire Bond可直接打线在铝垫上，便不需要进行FSM了。

溅镀工艺是以高真空溅镀机台成长钛/镍钒/银(Ti/NiV/Ag)在晶圆(Wafer)后，涂布光阻后，以光罩曝光显影后(黄光工艺)，将铝垫上方进行遮蔽，再将多余的UBM以蚀刻的方式进行移除(蚀刻工艺)，这是一套非常成熟而稳定，且可靠度极佳的工艺，许多车用电子公司与高端应用制造商均已使用此工艺。

溅镀工艺(Typical Sputter UBM Process)

前述提到的溅镀工艺，由于必須使用到高真空溅镀、黄光工艺、蚀刻工艺，工艺成熟稳定，较适用于追求高可靠性的车用电子、工业电子等高阶MOSFET需求，而较为成本导向的消费性产品所应用的MOSFET则较适合使用化镀来做，可以有较低的成本及较短的生产时间。

一直以倾听客户声音、满足客户需求的宜特注意到这件事，导入「以氧化还原反应」的化镀工艺。

化镀，一般称为化学镀(Chemical plating)，也称无电镀(Electro-less Plating)，在没有外加电流的条件下，利用化学药剂形成一连串可控制的氧化还原反应，使得化学药剂中的金属离子在晶圆上还原成金属的一种成膜的方式。

化镀工艺最大特色是，只需利用一系列的氧化还原反应，将镍金/镍钯金选择性的成长在铝垫上，完全不需要经过高真空溅镀/黄光工艺/蚀刻工艺，因此成本可降低，生产时间也可改善。

化镀工艺(E’less Plating Process)

化镀工艺的生产流程是操作人员在进行完芯片表面检查后，将晶舟(Cassette)放入机台上之芯片加载区(Load Port)，刷过条形码后，透过制造执行系统(Manufacturing Execution System, MES)自动加载该批产品需执行之程序后，便自动进行生产。结束后，系统会提示操作人员至卸除区(Unload Port取出即可。然而在这看似简单的生产流程中，却蕴含着一连串需要良好控制的、复杂的化学反应。

化镀工艺的程序，如图三所示，是先进行前处理后，进行第一次的锌活化 (Zincation)后以硝酸(HNO3)移除较粗糙的锌活化颗粒后，再进行第二次锌活化后，便可形成较细致的锌活化颗粒，接着进行镍金/镍钯金(NiAu/NiPdAu)成长。

所以若您的产品有需要使用正面金属化工艺(FSM)，化镀的特性是可以选择性的在铝垫上长出镍钯金，适合单纯Clip Bond，追求高CP值及成本导向客户使用；溅镀的特性是使用高真空设备溅镀金属并使用光阻定义图形，可靠度优异，适合追求高质量高可靠度客户使用。