宜特TEM材料分析实验室協助美国宾州大学教授为了分析忆阻器(memristor)的显微结构，此研究最终也获刊于Nature Electronics..

随着摩尔定律当工艺来到16奈米(nm)以下的制程，包装型式多数为覆晶技术(Flip Chip)，因此FIB电路修补就必须从芯片背面(晶背，Backside)来执行……

往往我们可以检测的大多是固态样品，但若遇到欲检测的物品是液态，或者怀疑Defect来自于制程中的液态物质该如何分析呢?针对一般的样品，以往我们会使用SEM检测，然而….

打入车厂供应链，除了产品设计面外，还包括产品研发、生产、安装、服务的部分必须有所依归，此依归准则，就是IATF 16949:2016汽车行业通用的质量管理体系…

化学镀工艺最大特色是，只需利用一系列的氧化还原反应，将镍金/镍钯金选择性的成长在铝垫上，完全不需要经过高真空溅镀/黄光工艺/蚀刻工艺，因此成本可降低…

正面金属化工艺是MOSFET晶圆减薄的一个关键工艺，正面金属化工艺的目的，就是藉由溅镀或化学镀方式形成UBM，接着做铜夹焊接 (Clip Bond)，以降低导线电阻….