为因应电子产品对效能需求，因此有了3D芯片堆栈技术产生。但问题来了，这样的技术所产生的组件，在失效后分析也更加困难，传统的封装组件只需在XY面的2D平面定位，即能有效找出失效位置，但3D组件还需要考虑到Z轴位置，且芯片在上下堆栈重迭下，更不容易找到失效位置…
常用来判断P/N well的方式，是将芯片染色 (stain)后，再利用SEM(扫描式电子显微镜)拍摄其宽度、深度及量测磊晶层厚度，但是SEM的电子影像为黑白图像，无法有确切的数据或颜色可以分辨P/N well，往往需要自行判断与猜测…
Plasma FIB，不仅拥有Dual-Beam FIB双枪设计边切边拍，针对大范围结构观察，可完整呈现欲观察之结构，蚀刻效率更是Dual-Beam FIB的20倍以上..
以往在设备的极限下，包括分辨率不够好、倍率较低，使得上述有些微小的异常点，不容易用X-Ray找到，因而无法短时间厘清问题与改善解决，宜特引进业界分辨率最好、倍率最高、还可360度拍摄零死角影像环绕的3D X-Ray…
