
在晶圆尚未上电路(Pattern)之前,须了解晶圆是否平整,得以确认后续Layout状况。当晶圆上了电路之后,更需监控粗糙度数据,才能确保后续上板后的质量…


为因应电子产品对效能需求,因此有了3D芯片堆栈技术产生。但问题来了,这样的技术所产生的组件,在失效后分析也更加困难,传统的封装组件只需在XY面的2D平面定位,即能有效找出失效位置,但3D组件还需要考虑到Z轴位置,且芯片在上下堆栈重迭下,更不容易找到失效位置…

常用来判断P/N well的方式,是将芯片染色 (stain)后,再利用SEM(扫描式电子显微镜)拍摄其宽度、深度及量测磊晶层厚度,但是SEM的电子影像为黑白图像,无法有确切的数据或颜色可以分辨P/N well,往往需要自行判断与猜测…

Plasma FIB,不仅拥有Dual-Beam FIB双枪设计边切边拍,针对大范围结构观察,可完整呈现欲观察之结构,蚀刻效率更是Dual-Beam FIB的20倍以上..
