发布日期：2018/11/20
发布单位：iST宜特
你或许知道可以利用逆向工程了解IC设计架构，避免专利纠纷。
那你知道，可以用什么工具进行逆向工程，透视奈米等级的IC线路呢?
逆向工程，又称反向还原工程(Reverse Engineering)，不熟悉此工程的人，常常将之与黑客、盗版、窃盗连结在一起。但其实不尽然，随着专利战盛行，逆向工程对于许多企业而言，不仅是用来保护自身的专利，确保竞争对手不能非法使用这些专利，同时也保护自己不会侵犯到竞争对手的专利。
而对于半导体产业而言，逆向工程更一直是IC研发设计的主轴，可以协助IC设计公司在开发新产品所需的成本、工时、人力与技术作全面性的分析，并在电路提取上可针对有专利性的电路，经专利地图数据库分析比较以做好专利回避，藉此了解市场态势并掌握商机。
在早期进行IC逆向工程，会使用光学显微镜(OM)进行拍照来观察IC线路设计，然而，在半导体随摩尔定律逐步从28nm、16nm、10nm、7nm、5nm一路往更小的工艺推进后，光学显微镜(OM)受限在全自动拍照拼图仅1500倍率下，已无法清楚拍出线路。
图片说明：此为使用光学显微镜(OM) 1500倍镜头拍摄之影像，左图是由一千张拼图而成的OM影像，右图为取之左图其中一小块的影像，无法清楚呈现奈米等级的线路影像
那要如何清楚透视微奈米级的线路？可利用大范围扫描拍照拼图达四万倍、局部拍照可达百万倍的扫描电子显微镜(SEM)来进行拍照。
SEM有两个功能，一个是产品有缺陷，用来进行失效分析找Defect，这种案例通常只需要进行「局部拍照」；第二种功能，就是本篇小学堂所讨论用在IC的逆向工程，为了要避免专利纠纷、做好专利回避，此时的拍照，就不能只是局部拍照，必须大范围扫描拍照，透视IC中所有的线路。
宜特最新引进的SEM机台，可搭配拼接图片软件，大范围扫描拍摄IC，显微透视达4万倍的IC线路设计。
图片说明：此为使用扫描电子显微镜(SEM)大范围拍摄之影像，左图是由100张拼图而成的SEM影像，右图为取之左图其中一小块的影像，可以清楚呈现奈米等级的线路。
值得一提，宜特协助客户完成SEM大范围拍照拼图影像后，客户亦可搭配宜特提供的软件，进行:
- 任意放大移动检视图片
- 标尺量测功能
- 各层Metal线路图的对应关系
图片说明：搭配宜特软件，可自行任意放大移动检视图片，清楚呈现奈米等级的线路影像(左上、右上、左下图)。并具备标尺量测功能(右下图)
图片说明: 藉由层层delayer，并使用SEM拍照拼图，客户可透过宜特软件，检视各层Metal之对应关系
本文与各位长久以来支持宜特的您，分享经验，若您想要更进一步了解细节，欢迎洽询中国免费咨询电话，400-928-9287│ Email: marketing_chn@istgroup.com
※备注1: 本文案例图为市售IC样品，非宜特客户IC样品。
※备注2: 客户之IC样品宜特视为最高机密，因此绝对不会将客户送样分析结果，泄漏给其他客户。