图一为电子束吸收电流(EBAC)的示意图，当电子显微镜中的电子束(E-beam)照射在样品上并扫描至某定点时，若此处为金属导线且有透过奈米探针导通，则电子会被组件中的金属导线吸收，再经由奈米探针(Nano-Probe)导出至放大器(Amp)，进而得到该位置的吸收电流，经由讯号处理可以形成电流影像，我们将其称为EBAC影像。

而前述提到有电流导出的位置，在电流影像上会形成亮区。反之，若此处「不为金属导线」或是发生「开路(Open)」的异常现象，造成探针无法获得电流，则在电流影像成像上为暗区。通常亮暗区交接处即为导线开路异常的位置。

电子显微镜中的二次电子影像(Secondary Electron image，简称SE)，可以反映组件的表面形貌(Topography)，将EBAC影像与二次电子影像两者搭配迭图后，可以得到组件表面的电流走向分布。这样的量测方式可以侦测出整个导线的走向分布，若导线中有开路异常，可以经由好、坏品比对或是与走线布局(Layout)对照，即可定位出发生异常的精确位置。

下图是实际案例，图二(左)为电路布局图(Layout)，图二(右)为EBAC影像重迭于SEM二次电子影像上所做出的迭图，亮起来的区域表示吸收到电子束中的电子，经由纳米探针导出至参数分析仪的电流。对照图二(左)，我们可以明确地看出导线走向分布，宜特故障分析实验室就是借着这样的方式，来判断导线有无故障、开路等等异常。

这个案例是导线末端有开路异常，而EBAC影像亮暗交界处即为开路异常发生位置。EBAC除了常用于金属导线的量测与状况判断之外，亦可以用来判断闸极氧化层(Gate Oxide)的异常漏电侦测。

在P-N Junction中间会形成「空乏区(Depletion Region)」(图三中间的黄色区域)，空乏区内会形成「内建电场(Build-in Electric Field)」。当电子显微镜的电子束照射在正负接面(P-N Junction) 时产成的电子电洞对 (Electron-Hole Pair)透过内建电场作用而诱发的电流量测 (参见图三)称之为电子束诱发电流(EBIC) ，形成电流后再经由奈米探针导出至放大器(Amp) ，最后形成电流影像。以材料常见的硅(Si)举例，激发一对电子电洞对所需的能量为3.6eV。

EBIC可以分析P-N Junction中的特性，像是内建电场强度分布影像，或是更进阶的藉由强度分布去推算载子的扩散长度(Diffusion Length)，这些信息对于材料特性的分析相当有帮助。

EBIRCH的原理与激光束电阻异常侦测(OBIRCH) 相同，差异只是在OBIRCH所用的激发源为「雷射」，受限于雷射波长的关系，其空间分辨率约为微米(µm)等级；而EBIRCH的激发源为电子显微镜的「电子束」，其波长远小于雷射，因此可以将空间分辨率提升至奈米(nm)等级，进而可更精准地定位出缺陷位置，大幅增加后续进行物性故障分析的缺陷呈现能力与 穿透式电子显微镜(TEM)分析的成功率。

当电子束照射在样品上，因为不同物质的升温系数不同与热电效应(Seebeck Effect)的双重影响，导致缺陷异常处的阻抗与正常处不同，经由好坏品的比对，便可以定位出缺陷的异常位置。

EBIRCH分析时，可透过施加不同偏压条件的往复选定，来进行更精准的异常位置定位。EBIRCH的用途广泛，通常可以用来针对短路(Short)、漏电(Leakage)或高阻抗(High Resistance)的异常进行侦测与定位。

图五的实际案例是在电性量测发现有漏电，于是先在接触层(Contact Layer)利用纳米探针系统对相关位置进行点针，得到EBIRCH影像(图五(左))，之后再将EBIRCH与二次电子影像迭加后，可以准确找出故障的接触点(图五(右))，提供后续进行PFA或TEM分析的精确定位。