X光绕射分析(X-ray diffraction analysis, XRD) 是透过X光与晶体的绕射产生图谱,并从图谱数据库比对,即可推论出材料晶体的排列结构、晶体排列的方式和奈米晶粒大小,以及单晶、多晶薄膜材料的结晶性分析等,为评估材料特性的一种非破坏式分析仪器。
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案例分享
材料晶格结构特性分析应用
分析样品: Al2O3/Si
以下是硅基材上成长氧化铝薄膜的X光反射图谱拟合的结果,从以下表格中可以看到实际上有两层不同密度的氧化铝薄膜,上下层的厚度分别为0.94nm与6.69nm;另外氧化铝表面与硅基材接口的粗糙度分别约0.49nm与0.23nm。
分析样品: InxGa1-xN/GaN超晶格
以下是LED芯片磊晶结构的高解析X光绕射分析图,从图中拟合的结果,可以看到超晶格InxGa1-xN/GaN的厚度与组成比例分别为2.4nm/14.35nm与x=16.27%。
- 晶体结构分析(晶格)
- 结晶性分析
- 织构(texture)分析
- 薄膜残余应力分析
- 倒晶格空间图(RSM)分析
- XRR分析
Bruker New D8 Discover
X光源 | 6kW turbo X-ray spot size: 0.3*3mm |
侦测器 | LynxEye PathFinder |
其他功能 | 2 bounce monochromator Ge (002) Laser alignment |
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