iST 宜特服务优势
案例分享
- 半导体组件失效分析(能力可达14nm高阶制程)
- 半导体生产线制程异常分析
- 磊晶与薄膜结构分析
- 电位对比测试
- 穿透式电子显微镜试片制作
- 奈米级结构制作
FEI Helios NanoLab 660
- 样品最大尺寸:150mm
- 配有150mm2 SDD EDS侦测器,可进行实时EDS分析
- 配有MultiChem气体系统,可通入六种沉积或stain气体
- 观测范围宽度超过100um,或深度超过50um时,建议可改用切削速度更快速的Plasma FIB
E-beam | I-beam | |
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Resolution | 0.6 nm at 15kV 0.7 nm at 1 kV | 4.0 nm at 30 kV |
Accelerate Voltage | 20 V – 30 kV | 0.5 kV – 30 kV |
Probe current | 0.8 pA – 100 nA | 0.1 pA – 65 nA |
