Dual Beam FIB(双束聚焦离子束)机台能在使用离子束切割样品的同时，用电子束对样品断面(剖面)进行观察，亦可进行EDX的成份分析。
iST 宜特能为你做什么
具备超高分辨率的离子束及电子束的Dual Beam FIB，能针对样品中的微细结构进行奈米尺度的定位及观察。离子束最大电流可达65nA，快速的切削速度能有效缩短取得数据的时间。
iST 宜特服务优势
案例分享
FEI Helios-660具有极佳的E-beam分辨率，标示处3nm的Void与Gate Oxide均清晰可见。
150mm2大面积EDS侦测器，可达极佳的空间分辨率，实现「边切、边拍、边分析」的高阶应用。
由专业失效分析团队为您执行完整的EFA > PFA > FIB cross-sectioning流程。
采用特殊样品制备手法(研磨+ Ion milling)，迅速得到大范围铜晶粒影像。
最薄可制备出厚度约15nm之TEM试片。
- 半导体组件失效分析(能力可达14nm高阶制程)
- 半导体生产线制程异常分析
- 磊晶与薄膜结构分析
- 电位对比测试
- 穿透式电子显微镜试片制作
- 奈米级结构制作
FEI Helios NanoLab 660
- 样品最大尺寸：150mm
- 配有150mm2 SDD EDS侦测器，可进行实时EDS分析
- 配有MultiChem气体系统，可通入六种沉积或stain气体
- 观测范围宽度超过100um，或深度超过50um时，建议可改用切削速度更快速的Plasma FIB
| E-beam | I-beam | |
|---|---|---|
| Resolution | 0.6 nm at 15kV 0.7 nm at 1 kV | 4.0 nm at 30 kV |
| Accelerate Voltage | 20 V – 30 kV | 0.5 kV – 30 kV |
| Probe current | 0.8 pA – 100 nA | 0.1 pA – 65 nA |
