交互使用各种不同处理方式(离子蚀刻 / 化学药液蚀刻 / 机械研磨)，使芯片本身多层结构((Passivation, Metal, Oxide)可一层一层去除，也就是芯片去层(Delayer)。透过芯片研磨(Polishing)与去层(Delayer)可逐层检视是否有缺陷，并可提供后续实验，清楚解析出每一层电路布线结构。
iST 宜特能为你做什么
以干、湿蚀刻及研磨(Polishing)等方法去除各Metal层做逆向分析，在以光学显微镜(50x~1500x)或电子显微镜拍摄(更大倍率)，检视是否有Metal Leakage或Burn Out、Metal Short等异常，且可利用电子显微镜做VC对照参考，判断二次电子产生的亮暗异常。
逆向去层分析(Delayer)
- 一般Cu、Al金属层Delayer去层
(Cratering, Via, ARC, Metal, Barrier Metal, Substrate…) - 闸氧Pin Hole(配合SEM扫描)
- FinFET制程
SEM电子显微镜 (型号: HITACHI SU8600 )
- 较小制程或微小异常检视
- 二次电子扫描
- FinFET制程之立体Substrate检视
- 一般Cu、Al金属层Delayer去层
iST 宜特服务优势
案例分享
1. BSI样品→Silicon Etching前制备→TOP Metal露出
2. 经Silicon Etching后→IC delayer层次去除→OM检视→Contact层以OM检查异常
芯片 delayer去层→OM检视→Contact层分别以SEM高及低电压扫描(VC)→蚀刻至Gate Oxide以SEM扫描检视
芯片 delayer 去层至Contact→OM检视拍摄→SEM电子及二次电子扫描→研磨至Poly→SEM扫描Poly Profile
FinFET Delayer制程去层至Substrate→OM检视拍摄→SEM扫描
