透过SEM显微镜的极小曲率半径探针,搭接IC内部线路或接触层(Contact Layer),使其外接电性量测设备,藉此输入讯号并量测电特性曲线;另外,亦可利用SEM电子束特性,进行相关应用分析,包括EBIC電子束感應電流(Electron Beam Induced Current)、EBAC電子束吸收電流(Electron Beam Absorbed Current )、EBIRCH電子束感應阻抗偵測 (Electron Beam Induced Resistance Change)。
透过SEM显微镜的极小曲率半径探针,搭接IC内部线路或接触层(Contact Layer),使其外接电性量测设备,藉此输入讯号并量测电特性曲线;另外,亦可利用SEM电子束特性,进行相关应用分析,包括EBIC電子束感應電流(Electron Beam Induced Current)、EBAC電子束吸收電流(Electron Beam Absorbed Current )、EBIRCH電子束感應阻抗偵測 (Electron Beam Induced Resistance Change)。
1. 在SEM真空环境下进行电特性量测,可避免外界环境的噪声干扰。对于半导体组件的故障分析,以及组件在奈米尺度下的研发,提供直接且快速的信息。
2. 在IC内部线路层或接触层(Contact Layer)电性量测发现异常后,可在同一台设备切换量测模式,直接确认异常位置。
可依不同需求,快速切换功能,同时进行量测与定位异常位置。
针对先进工艺之组件,搭配SEM高倍率电子显微镜进行精准量测,可量测到7奈米(nm)工艺。