发布日期：2018/6/14
发布单位：iST宜特
系统厂组装成品发生烧毁，送回IC设计端，说是EOS有问题…
身为IC设计者的您，该如何速找烧毁区，快速进行电路修改?
静电无所不在，当组件遇上了超过所能负荷的电压或电流时，组件很容易就烧毁，造成EOS (Electrical Over Stress，过度电性应力)问题。
成品厂出货在即，组装厂压着IC设计快点给出Solution(解决方案)，身为IC设计者的您，该如何速找烧毁区，以便进一步进行电路设计修改? 本月宜特小学堂，将手刀奉上经典案例，简单三步骤，让您组件EOS异常点无所遁形。
第一步骤：寻位置
在组件通电的状态，且不破坏样品的原貌下，利用Thermal EMMI故障点热辐射传导的相位差，侦测封装的故障点，并快速定位故障点XYZ坐标位置。
图说: Thermal EMMI影像
第二步骤：找脱层
有EOS问题的组件多半带有高温毁损，易将该区的IC表面及封装层击伤，因此在EOS位置容易扫出脱层现象。利用非破坏SAT超音波的方式进行扫描，找出封装体脱层位置与Thermal EMMI故障点位置一致。
图说: SAT影像
第三步骤：取晶粒
在针对SAT与Thermal EMMI故障点位置进行取晶粒(die)后，再利用OM数字显微镜进行外观检查，即可快速正确地找出EOS烧毁区域是在 Die表面与黑胶之间。
图说:取晶粒(die)及OM验证
本文与各位长久以来支持宜特的您，分享经验，若您任何封装组件EOS异常状况不知如何分析，或是对相关知识想要更进一步了解细节，欢迎洽询中国免费咨询电话: 400-928-9287│ Email: marketing_chn@istgroup.com。