首頁 技术文库 IC发生EOS,烧毁区如何找?

IC发生EOS,烧毁区如何找?

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IC发生EOS,烧毁区如何找?

by ruby

发布日期:2018/6/14
发布单位:iST宜特

系统厂组装成品发生烧毁,送回IC设计端,说是EOS有问题…
身为IC设计者的您,该如何速找烧毁区,快速进行电路修改?

静电无所不在,当组件遇上了超过所能负荷的电压或电流时,组件很容易就烧毁,造成EOS (Electrical Over Stress,过度电性应力)问题。

成品厂出货在即,组装厂压着IC设计快点给出Solution(解决方案),身为IC设计者的您,该如何速找烧毁区,以便进一步进行电路设计修改? 本月宜特小学堂,将手刀奉上经典案例,简单三步骤,让您组件EOS异常点无所遁形。

第一步骤:寻位置

在组件通电的状态,且不破坏样品的原貌下,利用Thermal EMMI故障点热辐射传导的相位差,侦测封装的故障点,并快速定位故障点XYZ坐标位置。

图说: Thermal EMMI影像

第二步骤:找脱层

有EOS问题的组件多半带有高温毁损,易将该区的IC表面及封装层击伤,因此在EOS位置容易扫出脱层现象。利用非破坏SAT超音波的方式进行扫描,找出封装体脱层位置与Thermal EMMI故障点位置一致。

图说: SAT影像

第三步骤:取晶粒

在针对SATThermal EMMI故障点位置进行取晶粒(die)后,再利用OM数字显微镜进行外观检查,即可快速正确地找出EOS烧毁区域是在 Die表面与黑胶之间。

图说:取晶粒(die)及OM验证

本文与各位长久以来支持宜特的您,分享经验,若您任何封装组件EOS异常状况不知如何分析,或是对相关知识想要更进一步了解细节,欢迎洽询中国免费咨询电话: 400-928-9287│ Email: marketing_chn@istgroup.com