Thermal EMMI是利用InSb材质的侦测器,接收故障点通电后产生的热辐射分布,藉此定位故障点(热点、亮点Hot Spot)位置,同时利用故障点热辐射传导的时间差,即能预估芯片故障点的深度位置。
iST 宜特服务优势
案例分享
在低倍率下,可清楚看出芯片 表面标记 (Marking)。
在阻抗极低的短路失效样品中,利用InGaAs与OBIRCH并无法测到亮点,但Thermal EMMI可以成功清楚侦测到亮点,并且可以量测亮点相对坐标,方便之后Delayer 或Cross-section定位用。
芯片不需要开盖(Decap),也可侦测出热点、亮点(Hot Spot),配合X-ray可清楚判定是裸晶(Die)或是封装问题。
PCB短路问题也可以侦测到Hot Spot(热点、亮点)。
Effect of doping on transmission through silicon:
Transmission for 100um SI and different doping levels
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