扫描式电子显微镜，又扫描电镜（Scanning Electron Microscope, SEM）主要是利用微小聚焦的电子束(Electron Beam)进行样品表面扫描。 此电子束(Electron Beam)与样品间的交互作用会激发出各种信号，如: 二次电子、背向散射电子及特性X光等，SEM主要就是收集二次电子的信号来成像。
iST 宜特能为你做什么
SEM景深大、分辨率高，放大倍率可达到数十万倍以上，可用来观察样品表面及剖面微结构。如在设备上加装能量分散X光谱仪(Energy Dispersive Spectrometer， 简称EDS)时，可对样品表面同时进行微区之材料分析，包括定性、半定量之成分分析以及特定区域之Point、Line Scan、Mapping分析。
iST 宜特服务优势
宜特拥有多台目前业界主流的场发射扫描式电子显微镜(扫描电镜，FE-SEM)：Hitachi SU8600、Hitachi Regulus 8240、Hitachi SU8220、Hitachi SU8020，且加装EDS (SDD detector)，可提供高解析之表面结构分析影像，亦可快速进行材料成份之分析。同时配备YAG BSE Detector，使SEM可用背向散射电子（Backscattered Electron，简称BSE）来成像。
案例分享
低能高解析影像:二次电子影像
低能高解析影像:背向散射电子影像
金颗粒的高解析影像: 二次电子影像
金颗粒的高解析影像: 背向散射电子影像
可应用于芯片制程成本分析
电压对比(Passive Voltage Contrast,PVC）：可应用于影像对比亮暗的差异性，作为判断contact是否有open/short的异常
可显示各元素于观察表面分布情形
液态材料的缺陷，如何检测?
此为使用扫描式电子显微镜(SEM)大范围拍摄之影像，左图是由100张拼图而成的SEM影像，右图为取之左图其中一小块的影像，可以清楚呈现奈米等级的线路。
藉由层层delayer，并使用SEM拍照拼图，客户可透过宜特软件，检视各层Metal之对应关系
- 针对各种材料表面微结构观察
- SEM量测样品尺寸，如膜厚等
- EDS可针对样品表面，进行微区定性与半定量成份元素分析/ 特定区域之Point、Line Scan、Mapping分析
- EDS SDD detector可在低电压下，提升Mapping的空间分辨率
- SEM自动拍照，搭配去层技术de-process，可提供电路逆向工程参考
- 利用低能电子束扫描做被动式电压对比(Passive Voltage Contrast, PVC)，对于异常漏电或接触不良的半导体组件损坏可精准定位
HITACHI SU8020
- 电子枪：Cold FE
- 分辨率：1.0nm (加速电压15kV) ，1.3nm(加速电压1kV)
- 倍率：30~800k
- 加速电压：0.1~30kV
HITACHI SU8220
- 电子枪:Cold FE
- 分辨率:0.8nm (加速电压15kV) ，1.1nm(加速电压1kV)
- 倍率:20~1000k
- 加速电压:0.01~30kV
HITACHI Regulus 8240
- 电子枪:Cold FE
- 分辨率:0.7nm(加速电压15kV)，0.9nm(加速电压1kV)
- 倍率:20~1000k
- 加速电压:0.01~30kV
- 自动拍照功能(Auto Capture)
HITACHI SU8600
- 电子枪:Cold FE
- 分辨率:0.6nm(加速电压15kV)，0.7nm(加速电压1kV)
- 倍率:20~1000k
- 加速电压:0.01~30kV