首頁 Service 离子束剖面研磨 (CP) 离子束剖面研磨 (CP) 2017-07-03by tanja 离子束剖面研磨、离子束截面研磨(Cross Section Polisher, 简称CP),是利用离子束切割方式,去切削出样品的剖面,不同于一般样品剖面研磨,离子束切削的方式可避免因研磨过程所产生的应力影响。 半自动化研磨技术 成功薄化硅基板 轻松找出失效点四大芯片切片手法 那一种最适合你的样品 iST 宜特能为你做什么 任何材料都可以以离子束剖面研磨(CP)进行约1mm大范围剖面的制备,由于不受应力影响,因此更适用于样品表面之材料特性的分析(例如EDS、AES、EBSD等表面分析),有效样品处理范围约可达500μm。 案例分享铜制程Gold fingerPackageWLCSP 应用范围 设备极限 软性材料,例如铜、铝、金、锡、高分子材料(须特别注意熔融温度)。 硬性材料,例如陶瓷、玻璃等。 复合材料,由金属材料、陶瓷材料或高分子材料等两种或以上复合的多相材料。 样品最大尺寸: 11mm(W) x 10mm(D) x 2mm(T) 联络窗口 | email:marketing_chn@istgroup.com 您可能有兴趣的其他服务 双束聚焦离子束(Dual-Beam FIB) 剖面/晶背研磨(Cross-section & Backside) 扫描式电子显微镜 (SEM) 芯片开盖去胶(Decap) 芯片去层(Delayer)