EMMI (Emission Microscopy)是用来做故障点定位、寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具。其具备高灵敏度的制冷式电荷(光)耦合组件(C-CCD)侦测器，可侦测组件中电子－电洞再结合时所发射出来的光子，其光波长在 350 nm ~ 1100 nm，此范围相当于可见光和红外光区。
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EMMI可广泛应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流，包括闸极氧化层缺陷(Gate oxide defects)、静电放电破坏(ESD Failure)、闩锁效应(Latch Up)、漏电(Leakage)、接面漏电(Junction Leakage) 、顺向偏压(Forward Bias)及在饱和区域操作的晶体管，可藉由EMMI定位，找热点(Hot Spot 或找亮点)位置，进而得知缺陷原因，帮助后续进一步的失效分析。
案例分享
利用EMMI侦测到热点(Hot Spot)
EMMI侦测的到亮点、热点(Hot Spot)情况
- 会产生亮点、热点(Hot Spot)的缺陷
- 接面漏电(Junction Leakage)
- Contact Spiking
- 热电子效应(Hot Electrons)
- 闩锁效应(Latch-Up)
- 闸极氧化层缺陷或漏电(Gate Oxide Defects / Leakage -F-N current)
- 多晶硅的细丝残留 (Poly-silicon Filaments)
- 硅基底损伤( Substrate Damage)
- 机械性损伤(Mechanical Damage)
- 及接面崩溃( Junction Avalanche)等
- 原来就会有的亮点、热点(Hot Spot)
- 饱和区操作中的BJT或MOS(Saturated or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS)
- 动态式CMOS (Dynamic CMOS)
- 二极管顺向与逆向偏压崩溃 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)
侦测不到亮点情况
- 不会出现亮点的故障
- 奥姆或金属的短路(Ohmic Short / Metal Short)
- 亮点被遮蔽之情况
- 埋入式接面的漏电区(Buried Junctions)
- 金属线底下的漏电区(Leakage Sites Under Metal)
EMMI因镜头旋转角度限制，最多架4支针座(4支探针)于平台上，且产品高度需低于10 cm，需完全暗房操作，不可有发光组件。