砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)与微光显微镜(EMMI)其侦测原理相同，都是用来侦测故障点定位，寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具，其原理都是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子。差别在于InGaAs可侦测的波长较长，范围约在900nm到1600nm之间，等同于红外线的波长区 (EMMI则是在350nm-1100nm)。
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InGaAs相较EMMI，更适用在检测「先进制程组件的缺陷」。原因在于尺寸小的组件，相对操作电压也随之降低，使得热载子所激发出的光波长变得较长，而InGaAs就非常适合用于侦测先进制程产品的亮点、热点(Hot Spot)定位。
iST 宜特服务优势
宜特建置Double side Probe station，可节省样品备制的时间与成本。
案例分享
相同热点、亮点(Hot Spot)的状况下，EMMI与InGaAs侦测的强度落差。
InGaAs与EMMI的应用雷同，但比 EMMI多了以下优点
- 侦测 缺陷(Defect)时间比 EMMI 短 5 ~ 10 倍。
- 可侦测到微小电流及先进制程的缺陷(Defect)。
- 可侦测到较轻微的 Metal Bridge。
- 针对 芯片 背面(Back-side)的定位分析，红外光对硅基板穿透率较高。
侦测的到亮点、热点(Hot Spot)情况
- 会产生亮点、热点(Hot Spot)的缺陷
- 接面漏电(Junction Leakage)
- Contact Spiking
- 热电子效应(Hot Electrons)
- 闩锁效应(Latch-Up)
- 闸极氧化层缺陷或漏电(Gate Oxide Defects / Leakage -F-N current)
- 多晶硅的细丝残留 (Poly-silicon Filaments)
- 硅基底损伤( Substrate Damage)
- 机械性损伤(Mechanical Damage)
- 及接面崩溃( Junction Avalanche)等
- 原来就会有的亮点、热点(Hot Spot)
- 饱和区操作中的BJT或MOS(Saturated or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS)
- 动态式CMOS (Dynamic CMOS)
- 二极管顺向与逆向偏压崩溃 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)
侦测不到亮点、热点(Hot Spot)情况
- 不会出现亮点的故障
- 奥姆或金属的短路(Ohmic Short及Metal Short)
- 亮点被遮蔽之情况
- 埋入式接面的漏电区(Buried Junctions)
- 金属线底下的漏电区(Leakage Sites Under Metal)
InGaAs因镜头旋转角度限制，最多架4只针座(4支探针)于平台上，产品高度需低于10 cm，需完全暗房操作，不可有发光组件，且不适用产品于加热状态下进行实验。