首頁 Service 激光束电阻异常侦测 (OBIRCH) 激光束电阻异常侦测 (OBIRCH) 2017-07-03by admin 激光束电阻异常侦测(Optical Beam Induced Resistance Change,以下简称OBIRCH),以雷射光在芯片表面(正面或背面) 进行扫描,在芯片功能测试期间,OBIRCH 利用雷射扫瞄芯片内部连接位置,并产生温度梯度,藉此产生阻值变化,并经由阻值变化的比对,定位出芯片Hot Spot(亮点、热点)缺陷位置。 AI应用的关键SRAM失效了 异常真因该怎么找呢 靠这招 速找宽能隙GaN芯片异常点 iST 宜特能为你做什么 OBIRCH常用于芯片内部电阻异常(高阻抗/低阻抗)、及电路漏电路径分析。可快速对电路中缺陷定位,如金属线中的空洞、通孔(via)下的空洞,通孔底部高电阻区等,也能有效的检测短路或漏电。 iST 宜特服务优势交期快,效率佳,可进行Backside Probe免去COB样品备制的时间。 案例分享芯片正面侦测芯片背面侦测 经由OBIRCH扫描芯片正面,找到异常亮点、热点(Hot Spot) 经由OBIRCH扫描芯片背面,找到异常亮点、热点(Hot Spot) 应用范围 设备极限 金属线/Poly/Well短路 ( Metal Short / Metal bridge)。 闸极氧化层漏电(Gate Oxide Pin Hole) 金属导通孔/接触孔阻值异常 任何有材质或厚度不一样的Short / Bridge / Leakage / High Resistance 等的芯片失效情况。 若待测物输出电流有不稳定现象,则不适用于OBIRCH机台量测。 联络窗口 | email:marketing_chn@istgroup.com 您可能有兴趣的其他服务 微光显微镜(EMMI) 激光束电阻异常侦测(OBIRCH) Thermal EMMI(InSb) 芯片电路修改/点针垫侦错 ESD保护组件之TLP电特性量测 静电放电/过度电性应力/闩锁试验 (ESD/EOS/Latch-up)